BY880-50 DIOTEC | Alldatasheet
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BY880-50 ... BY880-1000 BY880-50 ... BY880-1000 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-08-09 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 8 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BY880-50 50 50 BY880-100 100 100 BY880-200 200 200 BY880-400 400 400 BY880-600 600 600 BY880-800 800 800 BY880-1000 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 8 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing,t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 800 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 5.4 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1
BY880-50 ... BY880-1000 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 8 A VF < 1.1 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 20 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 20 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL 2) < 4 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 In some standards, measurement of “case temperature” TC is required. For that, measure lead temperature TL and set TC = TL and RthC = RthL In einigen Normen wird die Messung der “Gehäusetemperatur” TC verlangt. In diesem Fall ist die Anschlussdrahttemperatur TL zu messen und folgende Ersetzung vorzunehmen: TC = TL and RthC = RthL 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 300a-(5a-1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3