BTA04F YFWDIODE | Alldatasheet

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1 / 4 www.yfwdiode.com 4A四象限双向可控硅 BTA04F-600/800

  • 产品特征： NPNPN 五层结构的硅双向器件； P型对通扩散隔离； 台而玻璃纯化工艺； 背而多层金属电极； 工作结温高；换向能力强； 高电压变化率dV/dt； 大电流变化率dI/dt； 符合Rohs规范…..
  • 应 用： 加热控制器；马达调速控制器；麻将机；搅拌机； 直发器；面包机等家用电 器等等...
  • 可替代型号： BTA04；BTB04；BT134；BT136； Z0405；Z0409.
  • 主要参数： 符号 参数 数值 单位 IT(RMS) 通态有效值电流 4 A VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V VTM 导通压降 1.55 V
  • 极限参数（TCASE=25℃）: 符号 参数 条件 数值 单位 VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 Tj=25℃ 600/800 V IT(RMS) 通态均方根电流 TO-220F(TC≤105℃),Fig,1,2 4 A ITSM 通态不重复浪涌电流 全正弦波， Tj(init)=25℃,tp=20ms;Fig3,5 35 A I2t I t值 正弦波脉冲，tp=10ms 8 A2S dIT/dt 通态电流临界上升率 IG=2*IGT,tr≤10ns,F=120Hz,Tj=125 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ 50 A/us Ⅳ 10 IGM 门极峰值电流 tP=20us,Tj=125℃ 4 A PG(AV) 门极平均功率 Tj=125℃ 1 W TSTG 存储温度 -40~+150 Tj 工作结温 -40~+125 T1:主端子 T2:主端子 G:触发极 G uangDong YFW Electronics Co, Ltd.

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  • 产品电性能 符号 参数 测试条件 数值 单位 S E D C IGT 门极触发电流 VD=12V, RL=30Ω, Tj=25℃, Fig.6 mA Ⅳ ≤5 ≤10 ≤25 ≤50 VGT 门极触发电压 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ ≤1.3 V VGD 门极不触发电压 VD=VDRM,Tj=125℃ ≥0.2 V IH 维持电流 IT=100mA，Fig. 6 ≤15 ≤15 ≤25 ≤30 mA IL 擎住电流 IG=1.2IGT, Fig. 6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ ≤10 ≤10 ≤20 ≤40 mA Ⅱ ≤20 ≤20 ≤40 ≤50 mA dVD/dt 断态电压临界上升率 VD=67%VDRM,门极开路 Tj=125℃ ≥10 ≥10 ≥20 ≥50 V/us VTM 通态压降 ITM=6A,tp=380us,Fig.4 ≤1.55 V IDRM / IRRM 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 uA VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 mA
  • 热阻参数： 符号 参数 数值 单位 Rth(j-c) 结到管壳的热阻（AC） TO-220F(Ins) 3.3 ℃/W Rth(j-a) 结到环境的热阻 TO-220F(Ins) 60 ℃/W
  • 产品标识： BTA 04 F -600 D D:IGT1-3≤10mA,IGT4≤25mA 双向可控硅 E:IGT1-3≤5mA,IGT4≤10mA 断态重复峰值电压 IT(RMS)=4A 600:≥600V 800: ≥800V TO-220F(Ins) C:IGT1-3≤25mA,IGT4≤50mA S:IGT1-3≤5mA,IGT4≤5mA G uangDong YFW Electronics Co, Ltd.

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  • 参数特性曲线图： FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图 FIG.2:均方根电流与壳温 关系曲线图 FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量 关系图 FIG.4: 输出特性图（最大值图） FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽 关系曲线 FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住 电流与结温关系曲线图 0 1 2 3 4 I T(RMS) (A) P(W) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 100 ITM(A) V TM (V) 0.01 0.1 1 10 100 1000 tp(ms) ITSM(A) -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 T j º C IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC) I GT I H L -50 0 50 100 150 IT(RMS)(A) 1 10 100 1000 Number of cycles ITSM(A) G uangDong YFW Electronics Co, Ltd. TC(℃) TJ=125℃ TJ=25℃

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  • 封装外形： TO-220F(Ins) G uangDong YFW Electronics Co, Ltd.