BT169

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1 / 4 www.yfwdiode.com 0.8A门级灵敏型单向可控硅 BT169

• 产品特征： PNPN 四层结构的硅双向器件； 门级灵敏触发； P型对通扩散隔离； 台而玻璃纯化工艺； 背面多层金属电极； 符合Rohs规范…..
• 应 用： 摩托车点火器、汽油机点火器、LED灯控制器、彩灯控制器、咖啡壶、直发 器等等...
• 主要参数： 符号 参数 数值 单位 IT(RMS) 通态有效值电流 0.8 A VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V IGT 门级触发电流 10-60 uA
• 极限参数（TCASE=25℃）: 符号 参数 条件 数值 单位 VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 Tj=25℃ 600/800 V IT(AV) 通态平均电流 SOT-223-3L(TC=75℃) 0.5 A IT(RMS) 通态均方根电流 SOT-223-3L(TC=75℃),Fig,1,2 0.8 A ITSM 通态不重复浪涌电流 半正弦波， Tj(init)=25℃,tp=10ms;Fig3,5 10 A I2t I2t值 正弦波脉冲，tp=10ms 3.2 A2S dIT/dt 通态电流临界上升率 IG=2*IGT,tr≤10ns,F=120Hz,Tj=110℃ 50 A/us IGM 门极峰值电流 tP=20us,Tj=110℃ 0.2 A PGM 门极峰值功率 tP=20us,Tj=110℃ 0.5 W PG(AV) 门极平均功率 Tj=110℃ 0.1 W TSTG 存储温度 -40~+150 Tj 工作结温 -40~+110 T1:主端子 T2:主端子 G:触发极 SOT-223-3L Marking Code BT169 BT169 G uangDong YFW Electronics Co, Ltd.

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• 产品电性能 符号 参数 测试条件 数值 单位 最小值 典型值 最大值 IGT 门极触发电流 VD=6V,RL=100Ω, RGK=1KΩ,Fig.6 10 20 60 uA VGT 门极触发电压 VD=12V, RL=100Ω, RGK=1KΩ - - 0.8 V VGD 门极不触发电压 VD=1/2VDRM, RGK=1KΩ, Tj=110℃ 0.2 V IH 维持电流 VD=24V, RGK=1KΩ,ITM=4A, Tj=25℃,Fig.6 - 1 3 mA IL 擎住电流 IG=1.2IGT,Fig.6 - - 4 mA dVD/dt 断态电压临界上升率 VD=2/3VDRM, RGK=1KΩ,Tj=110℃ 10 - - V/us VTM 通态压降 ITM=1.2A, Fig.4 - - 1.5 V IDRM / IRRM 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ - - 5 uA VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃ - - 100 uA
• 热阻参数： 符号 参数 数值 单位 Rth(j-c) 结到管壳的热阻（AC） SOT-223-3L 20 ℃/W Rth(j-a) 结到环境的热阻 S=5cm2 SOT-223-3L 60 ℃/W
• 产品标识： BT 169 IT(RMS)=0.8A 单向可控硅 G uangDong YFW Electronics Co, Ltd.

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• 参数特性曲线图： FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图 FIG.2:均方根电流与壳温 关系曲线图 FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量 关系图 FIG.4: 输出特性图（最大值图） FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽 关系曲线图 FIG.6：门极触发电流、维持电流、擎住电流 与结温关系图 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 I T(RMS) (A) P(W) -50 -25 0 25 50 75 100 125 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 IT(RMS)(A) 1 10 100 1000 Number of cycles ITSM(A) T j =25 º C V TM (V) ITM(A) T j T j max 0.01 0.1 1 10 100 1000 tp(ms) ITSM(A) -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 I GT I L I H T j º C IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC) G uangDong YFW Electronics Co, Ltd. T c º C

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• 封装外形： SOT-223-3L G uangDong YFW Electronics Co, Ltd.