BT134W YFWDIODE | Alldatasheet

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www.yfwdiode.com GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. 1A四象限双向可控硅 BT134W 产品特征: NPNPN 五层结构的硅双向器件; P型对通扩散隔离; 台而玻璃纯化工艺; 背而多层金属电极; 符合Rohs规范….. 应 用: 加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电 器等... T1:主端子 T2:主端子 G:触发极 SOT-223

  • 主要参数: 符号 参数 数值 单位 IT(RMS) 通态有效值电流 4 A VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V VTM 导通压降 1.55 V
  • 极限参数(TCASE=25℃): 符号 参数 条件 数值 单位 VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 Tj=25℃ 600/800 V IT(RMS) 通态均方根电流 SOT-223- (TC≤70℃),Fig,1,2 4 A ITSM 通态不重复浪涌电流 全正弦波, Tj(init)=25℃,tp=20ms;Fig3,5 25 A I2t I2t值 正弦波脉冲,tp=10ms 3.1 A2S dIT/dt 通态电流临界上升率 IG=2*IGT,tr≤10ns,F=120Hz,Tj=125℃ Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ 50 A/us Ⅳ 10 IGM 门极峰值电流 tP=20us,Tj=125℃ 2 A PGM 门极峰值功率 tP=20us,Tj=125℃ 5 W PG(AV) 门极平均功率 Tj=125℃ 0.5 W TSTG 存储温度 -40~+150 Tj 工作结温 -40~+125

www.yfwdiode.com GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. 产品电性能 产品标识: BT 134W -600 E D:I GT mA,I GT4 ≤10 mA 双向可控硅 E:I GT1 ≤10 mA,I GT4 ≤25mA 断态重复峰值电压 IT(RMS)=1A 600:≥ 600V 800: ≥800V 符号 参数 测试条件 数值 单位 D E IGT 门极触发电流 VD=12V, IT=0.1A, Tj=25℃, Fig.6 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ ≤5 ≤10 mA Ⅳ ≤10 ≤25 VGT 门极触发电压 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ ≤1.3 V VGD 门极不触发电压 VD=VDRM,Tj=125℃ ≥0.2 V IH 维持电流 VD=12V, IGT=0.1A, Tj=25℃, Fig.6 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ ≤10 ≤15 mA IL 擎住电流 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ ≤10 ≤15 mA Ⅱ ≤15 ≤20 mA dVD/dt 断态电压临界上升率 VD=67%VDRM,门极开路 Tj=125℃ ≥10 ≥20 V/us VTM 通态压降 ITM=6A,tp=380us,Fig.4 ≤1.55 V IDRM / IRRM 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ ≤5 ≤5 uA VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ ≤0.5 ≤0.5 mA

  • 热阻参数: 符号 参数 数值 单位 Rth(j-c) 结到管壳的热阻(AC) SOT-223 23 ℃/W Rth(j-a) 结到环境的热阻 S=5cm2 SOT-223 60 ℃/W

www.yfwdiode.com GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. 参数特性曲线图: FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图 FIG.2:均方根电流与壳温 关系曲线图 FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量 关系图 FIG.4: 输出特性图(最大值图) FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽 关系曲线 0 1 2 3 4 I T(RMS) (A) P(W) 0.01 0.1 1 10 100 1000 tp(ms) ITSM(A) FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住 电流与结温关系曲线图 -50 0 50 100 150 IT(RMS)(A) -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC) T j º C I H I L I GT 1 10 100 1000 Number of cycles ITSM(A) T j =25 º C V TM (V) ITM(A) T j =125 º C T c º C

www.yfwdiode.com GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. 封装外形: SOT-223