BT131 YFWDIODE | Alldatasheet

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1 / 4 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 1A四象限双向可控硅 BT131-600/800

  • 产品特征： NPNPN 五层结构的硅双向器件； P型对通扩散隔离； 符合Rohs规范…..
  • 应 用： 加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等等...
  • 可替代型号： Z0103、Z0107、STN1A60、STN1A80
  • 主要参数： 符号 参数 数值 单位 IT(RMS) 通态有效值电流 1 A VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V VTM 导通压降 1.55 V
  • 极限参数（TCASE=25℃）: 符号 参数 条件 数值 单位 VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 Tj=25℃ 600/800 V IT(RMS) 通态均方根电流 SOT-223-3L(TC≤85℃),Fig,1,2 1 A ITSM 通态不重复浪涌电流 全正弦波， Tj(init)=25℃,tp=20ms;Fig3,5 12 A I2t I2t值 正弦波脉冲，tp=10ms 1.28 A2S dIT/dt 通态电流临界上升率 IG=2*IGT,tr≤10ns,F=120Hz,Tj=125℃ Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ 50 A/us Ⅳ 10 IGM 门极峰值电流 tP=20us,Tj=125℃ 2 A PGM 门极峰值功率 tP=20us,Tj=125℃ 5 W PG(AV) 门极平均功率 Tj=125℃ 0.5 W TSTG 存储温度 -40~+150 Tj 工作结温 -40~+125 T1:主端子 T2:主端子 G:触发极 SOT-223-3L Marking Code BT131-600/800 BT131 台面玻璃纯化工艺； 背面多层金属电极；

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  • 产品电性能 符号 参数 测试条件 数值 单位 S E IGT 门极触发电流 VD=12V, IT=0.1A, Tj=25℃, Fig.6 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ ≤3 ≤5 mA Ⅳ ≤5 ≤10 VGT 门极触发电压 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ ≤1.3 V VGD 门极不触发电压 VD=VDRM,Tj=125℃ ≥0.2 V IH 维持电流 VD=12V, IGT=0.1A, Tj=25℃, Fig.6 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ ≤5 ≤5 mA IL 擎住电流 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ ≤6 ≤10 mA Ⅱ ≤10 ≤15 mA dVD/dt 断态电压临界上升率 VD=67%VDRM,门极开路 Tj=125℃ ≥5 ≥10 V/us VTM 通态压降 ITM=1.5A,tp=380us,Fig.4 ≤1.55 V IDRM / IRRM 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ ≤10 ≤10 uA VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ ≤1 ≤1 mA
  • 热阻参数： 符号 参数 数值 单位 Rth(j-c) 结到管壳的热阻（AC） SOT-223-3L 25 ℃/W Rth(j-a) 结到环境的热阻 S=5cm2 SOT-223-3L 60 ℃/W
  • 产品标识： BT 131 -600 E D:IGT1-3≤3mA,IGT4≤5mA 双向可控硅 E:IGT1-3≤5mA,IGT4≤10mA 断态重复峰值电压 IT(RMS)=1A 600:≥600V 800: ≥800V

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  • 参数特性曲线图： FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图 FIG.2:均方根电流与壳温 关系曲线图 FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量 关系图 FIG.4: 输出特性图（最大值图） FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽 关系曲线 0.01 0.1 1 10 100 1000 tp(ms) ITSM(A) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 I TRMS (A) P(W) -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 IT(RMS)(A) FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住 电流与结温关系曲线图 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 T j =25 º C V TM (V) IT(A) T j =125 º C -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 I H I T I GT T j º C IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC) 1 10 100 1000 Number of cycles ITSM(A) TC(℃)

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  • 封装外形： SOT-223-3L