BSM150GB60DLC

BSM150GB60DLC EUPEC | Alldatasheet

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES 600 V Tc= 60°C I C,nom. 150 A Tc= 25°C I C 180 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 60°C I CRM 300 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor P tot 595 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V Dauergleichstrom DC forward current IF 150 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms I FRM 300 A Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I2t 2.300 A2s Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,95 2,45 V IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,20 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C V GE(th) 4,5 5,5 6,5 V Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V C ies - 6,5 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V C res - 0,6 - nF VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1 500 µA VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C -1- m A Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C I GES - - 400 nA prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26 approved by: Michael Hornkamp revision: 1 Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCE sat ICES Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current 1 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. IC= 150A, VCC= 300V VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 25°C t d,on - 115 - ns VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 125°C - 125 - ns IC= 150A, VCC= 300V VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 25°C t r -2 8- n s VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 125°C -3 0- n s IC= 150A, VCC= 300V VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 25°C t d,off - 200 - ns VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 125°C - 225 - ns IC= 150A, VCC= 300V VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 25°C t f -2 5- n s VGE= ±15V, RG= 1,5Ω , Tvj= 125°C -3 5- n s IC= 150A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 1,5Ω , Tvj= 125°C, Lσ = 15nH IC= 150A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 1,5Ω , Tvj= 125°C, Lσ = 15nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -Lσ CE ·di/dt Modulinduktivität stray inductance module Lσ CE - 40 - nH Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25°C R CC'+EE' - 1,0 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung IF= 150A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,25 1,6 V forward voltage IF= 150A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,20 - V IF= 150A, -diF/dt= 5600A/µsec VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C I RM - 180 - A VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 215 - A IF= 150A, -diF/dt= 5600A/µsec VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Q r -1 1- µ C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C -1 9- µ C IF= 150A, -diF/dt= 5600A/µsec VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C E rec --- m J VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 4,7 - mJ Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy A VF Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recoverred charge ISC - 675 mJ - 2,3 - mJ - 4,6 -Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Kurzschlußverhalten SC Data Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Eoff Eon Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse 2 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,21 K/W - - 0,40 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK - 0,02 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties 5N m -15 +15 % Schraube M6 screw M6 M1 g180G Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. RthJC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Gewicht weight Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque CTI comperative tracking index Kriechstrecke creepage insulation Luftstrecke clearance mm 8,5 mm 275 Al2O3 3 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC IC [A] VCE [V] IC [A] VCE [V] 100 150 200 250 300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Ausgangskennlinie (typisch) IC= f (VCE) Output characteristic (typical) VGE= 15V 100 150 200 250 300 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f (VCE) Output characteristic (typical) Tvj= 125°C 4 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC IC [A] VGE [V] IF [A] VF [V] 100 150 200 250 300 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Übertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE) Transfer characteristic (typical) VCE= 20V 100 150 200 250 300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f (VF) Forward characteristic of inverse diode (typical) 5 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC E [mJ] IC [A] E [mJ] RG [ΩΩΩΩ ] 0 50 100 150 200 250 300 Eon Eoff Erec Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) Switching losses (typical) RG,on= 1,5Ω,Ω,Ω,Ω, ====RG,off= 1,5ΩΩΩΩ , VCC= 300V, Tvj= 125°C 02468 1 0 1 2 1 4 Eon Eoff Erec Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) Switching losses (typical) IC= 150A , VCC= 300V , Tvj = 125°C 6 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC ZthJC [K / W] t [sec] i 1234 ri [K/kW] : IGBT 8,9 110,0 74,0 17,0 τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626 ri [K/kW] : Diode 141,0 135,2 84,9 38,9 τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115 IC [A] VCE [V] Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, RG,off= 1,5Ω,Ω,Ω,Ω, Tvj= 125°C Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t) Transient thermal impedance 100 150 200 250 300 350 0 100 200 300 400 500 600 700 IC,Modul IC,Chip 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 Zth:IGBT Zth:Diode 7 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 10 2,8 x 0,5 6 17 23 17 123 8 (8) BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08