BSM100GP60

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
• PDF pages: 12

Technical content

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage VRRM 1600 V Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip IFRMSM 80 A Dauergleichstrom DC forward current TC = 80°C Id 100 A Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = 25°C IFSM 700 A surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C 570 A Grenzlastintegral tP = 10 ms, Tvj = 25°C I2t 2450 A2s I2t - value tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1620 A2s Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 70 °C IC,nom. 100 A DC-collector current TC = 25 °C IC 135 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, T C = 70 °C ICRM 200 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Ptot 420 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Tc = 70 °C IF 100 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 200 A Grenzlastintegral I2t - value VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C I2t 2.300 A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 50 A DC-collector current TC = 25 °C IC 75 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Ptot 250 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Tc = 70 °C IF 30 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 60 A prepared by: Andreas Schulz date of publication:29.03.2001 approved by: Robert Severin revision: 5 1(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate VISOL 2,5 kV Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier min. typ. max. Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 150°C, I F = 100 A VF - 1,16 - V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = 150°C V(TO) - - 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = 150°C rT - - 4,8 mΩ Sperrstrom reverse current Tvj = 150°C, V R = 1600 V IR - 4 - mA Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip TC = 25°C RAA'+CC' - 4 - mΩ Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 100 A VCE sat - 1,95 2,45 V collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 100 A - 2,2 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage VCE = VGE, Tvj = 25°C, IC = 1,5 mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies - 4,3 - nF Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 600 V ICES - 3,0 500 µA collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj =125°C, VCE = 600 V - 4,0 - mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C IGES - - 300 nA Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = INenn, V CC = 300 V turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 15 Ohm td,on - 50 - ns VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 15 Ohm - 45 - ns Anstiegszeit (induktive Last) IC = INenn, V CC = 300 V rise time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 15 Ohm tr - 65 - ns VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 15 Ohm - 65 - ns Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = INenn, V CC = 300 V turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 15 Ohm td,off - 260 - ns VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 15 Ohm - 285 - ns Fallzeit (induktive Last) IC = INenn, V CC = 300 V fall time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 15 Ohm tf - 35 - ns VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 15 Ohm - 45 - ns Einschaltverlustenergie pro Puls IC = INenn, V CC = 300 V turn-on energy loss per pulse VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 15 Ohm Eon - 4,2 - mWs L S = 50 nH Abschaltverlustenergie pro Puls IC = INenn, V CC = 300 V turn-off energy loss per pulse VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 15 Ohm Eoff - 3,2 - mWs L S = 50 nH Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, RG = 15 Ohm SC Data Tvj≤125°C, VCC = 360 V ISC - 400 - A dI/dt = 4000 A/µs 2(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. Modulinduktivität stray inductance module LσCE - - 100 nH Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip TC = 25°C RCC'+EE' - 7 - mΩ Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max. Durchlaßspannung VGE = 0V, Tvj = 25°C, I F = 100 A VF - 1,25 1,7 V forward voltage VGE = 0V, Tvj = 125°C, I F = 100 A - 1,2 - V Rückstromspitze IF=INenn, - diF/dt = 2200A/µs peak reverse recovery current VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 300 V IRM - 68 - A VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 300 V - 90 - A Sperrverzögerungsladung IF=INenn, - diF/dt = 2200A/µs recovered charge VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 300 V Qr - 6,2 - µAs VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 300 V - 10,5 - µAs Abschaltenergie pro Puls IF=INenn, - diF/dt = 2200A/µs reverse recovery energy VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 300 V ERQ - 1,3 - mWs VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 300 V - 2,2 - mWs Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 50,0 A VCE sat - 1,95 2,55 V collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 50,0 A - 2,2 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage VCE = VGE, Tvj = 25°C, IC = 1 mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies - 2,8 - nF Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 600 V ICES - 1,5 500 µA collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = 600 V - 2,0 - mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 300 nA Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max. Durchlaßspannung Tvj = 25°C, I F = 50,0 A VF - 1,45 1,8 V forward voltage Tvj = 125°C, I F = 50,0 A - 1,4 - V NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance TC = 25°C R25 - 5 - kΩ Abweichung von R100 deviation of R100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung power dissipation TC = 25°C P25 20 mW B-Wert B-value R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 3375 K 3(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode RthJC - - 0,5 K/W thermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 0,3 K/W Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 0,5 K/W Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 0,5 K/W Diode Bremse/ Diode Brake - - 1,2 K/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode λPaste=1W/m*K RthCK - 0,04 - K/W thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter λgrease=1W/m*K - 0,02 - K/W Diode Wechsr./ Diode Inverter - 0,04 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index 225 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nm mounting torque ±10% Gewicht weight G 300 g 4(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 IC [A] VCE [V] IC [A] VCE [V] Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V 100 120 140 160 180 200 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 Tj = 25°C Tj = 125°C 100 120 140 160 180 200 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C 5(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 IC [A] VGE [V] IF [A] VF [V] Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 100 120 140 160 180 200 0 2 4 6 8 10 12 14 Tj = 25°C Tj = 125°C Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) IC = f (VGE) Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V 100 120 140 160 180 200 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 Tj = 25°C Tj = 125°C 6(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 300 V

15 Ohm

E [mWs] IC [A] 300 V E [mWs] RG [W] Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC = Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, V GE = ±15 V, RGon = RGoff = 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Eon Eoff Erec 0 5 10 15 20 25 30 35 Eon Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG) Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , VCC = 7(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 ZthJC [K/W] t [s] IC [A] VCE [V] Transienter Wärmewiderstand Wechselr. ZthJC = f (t) Transient thermal impedance Inverter 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 Zth-IGBT Zth-FWD Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) IC = f (VCE) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG = 100 150 200 250 0 100 200 300 400 500 600 700 IC,Modul IC,Chip 8(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 IC [A] VCE [V] IF [A] VF [V] 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 Tj = 25°C Tj = 125°C Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical) Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 Tj = 25°C Tj = 125°C 9(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 IF [A] VF [V] R[W] TC [°C] Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) IF = f (VF) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 100 120 140 160 180 200 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 Tj = 25°C Tj = 150°C NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T) NTC- temperature characteristic (typical) Rtyp 100 1000 10000 100000 0 20 40 60 80 100 120 140 160 10(11) DB-PIM-10.xls

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 Schaltplan/ Circuit diagram Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 2 31 5 6 NTC 11(11) DB-PIM-10.xls

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.