BDV65B_08 ONSEMI | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 4

Technical content

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008 September, 2008 − Rev. 13

1 Publication Order Number:

BDV65B/C8201(NPN), BDV64B/C8201(PNP) Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

  • High DC Current Gain − HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc
  • Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistors
  • Pb−Free Packages are Available* ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎ ÎÎÎ Symbol ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ VCEO ÎÎÎ ÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Base Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ VCB ÎÎÎ ÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter−Base Voltage ÎÎÎ VEB ÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current − Continuous − Peak ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ IC ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎ ÎÎÎ IB ÎÎÎ ÎÎÎ 0.5 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation @ TC = 25/C0095C Derate above 25/C0095C ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ PD ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 125 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ W W//C0095C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎ ÎÎÎ TJ, Tstg ÎÎÎ ÎÎÎ –/C820265 to +/C8202150 ÎÎÎ ÎÎÎ /C0095C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎ ÎÎÎ Symbol ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction−to−Case ÎÎÎ ÎÎÎ R/C0113JC ÎÎÎ ÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ /C0095C/W Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. SOT−93 (TO−218) CASE 340D

10 AMPERE DARLINGTON

60−80−100−120 VOLTS,

125 WATTS

http://onsemi.com AYWW BDV6xBG A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week G= P b −Free Package BDV6xB = Device Code x = 4 or 5 Device Package Shipping

ORDERING INFORMATION

BDV65B SOT −93 30 Units / Rail BDV65BG SOT −93 (Pb−Free)

30 Units / Rail

BDV64B SOT −93 30 Units / Rail BDV64BG SOT −93 (Pb−Free) COLLECTOR 2,4 BASE EMITTER 3 COLLECTOR 2 BASE EMITTER 3 NPN PNP BDV65B BDV64B

BDV65B (NPN), BDV64B (PNP) http://onsemi.com 1.0 0.8 0 25 50 100 125 150 Figure 1. Power Derating

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ OFF CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 30 mAdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCEO(sus) ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 100 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCE = 50 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ICEO ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ICBO ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.4 ÎÎÎ ÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCB = 50 Vdc, IE = 0, TC = 150/C0095C) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ICBO ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 2.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ IEBO ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ON CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ hFE ÎÎÎ ÎÎÎ 1000 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, IB = 0.02 Adc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCE(sat) ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 2.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VBE(on) ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 2.5 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc

Figure 7. Thermal Response

  1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
  2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.E

arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.