BD802 ONSEMI | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 4

Technical content

Plastic High Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

  • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc
  • BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Value ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCEO ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 100 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCBO ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 100 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VEBO ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ IC ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 8.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ IB ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 3.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation TC = 25C Derate above 25C ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ PD ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 522 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Watts mW/ C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ TJ, Tstg ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ –55 to +150 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ θJC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 1.92 ÎÎÎ ÎÎÎ C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Min ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Sustaining Voltage* (IC = 0.05 Adc, IB = 0) ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ BV CEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0) ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ ICBO ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 0.1 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ IEBO ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain (IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V) (IC = 3.0 A, VCE = 2.0 V) ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ hFE ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Saturation Voltage* (IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc) ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ VCE(sat) ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base–Emitter On Voltage* (IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ VBE(on) ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 1.6 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 0.25 Adc, VCE = 10 Vdc, f = MHz) ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ fT ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 3.0 ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ MHz *Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0. ON Semiconductor  Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 March, 2001 – Rev. 9

1 Publication Order Number:

8 AMPERE

100 VOLTS

65 WATTS

CASE 221A–09 TO–220AB

Figure 1. Active Region Safe Operating Area below which the device will not enter secondary breakdown. applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. steady state and pulse power conditions. Figure 2. Collector Saturation Region Figure 3. Normalized DC Current Gain Figure 4. “On” Voltage

1.7 TJ = 25°C

Figure 5. Thermal Response

http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS CASE 221A–09 ISSUE AA TO–220AB NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. DIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 0.570 0.620 14.48 15.75 B 0.380 0.405 9.66 10.28 C 0.160 0.190 4.07 4.82 D 0.025 0.035 0.64 0.88 F 0.142 0.147 3.61 3.73 G 0.095 0.105 2.42 2.66 H 0.110 0.155 2.80 3.93 J 0.018 0.025 0.46 0.64 K 0.500 0.562 12.70 14.27 L 0.045 0.060 1.15 1.52 N 0.190 0.210 4.83 5.33 Q 0.100 0.120 2.54 3.04 R 0.080 0.110 2.04 2.79 S 0.045 0.055 1.15 1.39 T 0.235 0.255 5.97 6.47 U 0.000 0.050 0.00 1.27 B Q H Z L V G N A K F 12 3 D SEATING PLANE–T– C ST U R J ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. PUBLICATION ORDERING INFORMATION CENTRAL/SOUTH AMERICA: Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST) Email: ONlit–spanish@hibbertco.com Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access – then Dial 866–297–9322 ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support Phone : 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time) Toll Free from Hong Kong & Singapore: 001–800–4422–3781 Email: ONlit–asia@hibbertco.com JAPAN : ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031 Phone : 81–3–5740–2700 Email: r14525@onsemi.com ON Semiconductor Website: http://onsemi.com For additional information, please contact your local Sales Representative. BD802/D NORTH AMERICA Literature Fulfillment: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone : 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada Email: ONlit@hibbertco.com Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support German Phone : (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET) Email: ONlit–german@hibbertco.com French Phone : (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET) Email: ONlit–french@hibbertco.com English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT) Email: ONlit@hibbertco.com EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781 *Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland