BAT54 DIOTEC | Alldatasheet
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Technical content
1) Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 2) Tested with pulses t p = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% 2.5 max 1.3 ±0.1 1.1 2.9 ±0.1 0.4 1 2 Type Code 1.9 Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2004-03-10 Power dissipation – Verlustleistung 310 mW Repetitive peak reverse voltage 30 V Periodische Spitzensperrspannung Plastic case SOT-23 Kunststoffgehäuse (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Dimensions / Maße in mm Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom I FAV 200 mA 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom I FRM 300 mA 1) Peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert t p ≤ 10 ms tp ≤ 5 µs IFSM IFSM 1 A 8 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung V RRM 30 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur T j 125°C Storage temperature – Lagerungstemperatur T S - 55…+ 150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (T j = 25°C) Forward voltage - Durchlaßspannung 2)I F = 0.1 mA IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 30 mA IF = 100 mA VF VF VF VF VF < 240 mV < 320 mV < 400 mV < 500 mV < 1000 mV Leakage current - Sperrstrom 2)V R = 25 V VR = 30 V IR IR < 2 µA < 3 µA
1) Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 1 2 1 2 1 2 1 2 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (T j = 25°C) Max. junction Capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 1 Vdc, f = 1 MHz CT 10 pF Reverse recovery time - Sperrverzug IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA trr < 5 ns Critical rate of rise of voltage Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dv/dt 10000 V/µs Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft R thA 420 K/W 1) Outline – Gehäuse Pinning – Anschlußbelegung Marking – Stempelung Single diode – Einzeldiode 1 = A 2 = n.c. 3 = K BAT54 = L4 or / oder = KL1 Double diode, common anode Doppeldiode, gemeins. Anode 1 = K1 2 = K2 3 = A1 / A2 BAT54A = L42 or / oder = KL2 Double diode, common cathode Doppeldiode, gemeins. Katode 1 = A1 2 = A2 3 = K1 / K2 BAT54C = L43 or / oder = KL3 Double diode, series connect. Doppeldiode, Reihenschaltung 1 = A1 2 = K2 3 = K1 / A2 BAT54S = L44 or / oder = KL4