BAS70E DIOTEC | Alldatasheet

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Technical content

Features

Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 4000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.002 g Gewicht ca. Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einba ubedingungen MSL = 1 Single Diode BAS70E 1 = A 2 = n. c. 3 = C Type Code Series Connection BAS70-04E 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Type Code Common Cathode BAS70-05E 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 Type Code Common Anode BAS70-06E 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Type Code Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation − Verlustleistung 3) Ptot 150 mW 4) Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC I FAV 70 mA 4) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 70 mA 4) Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert t p ≤ 1 s I FSM 100 mA Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung V RRM 70 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+125°C -55…+150°C

1 Please note the

detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T A = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben

3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustl eistungen beider Dioden

4 Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 1.0 ±0.1 0.2 ±0.05 0.8 ±0.1 0.75 ±0.1 1.6 ±0.1 1.6 ±0.15Type Code

BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA IF = 15 mA VF < 410 mV < 1000 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C V R = 50 V I R < 100 nA 1) Breakdown voltage Abbruchspannung Tj = 25°C I R = 10 µA V BR > 70 V 1) Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz C T 2 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 833 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses t p = 300 µs, duty cycle ≤ 2%

Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% 2 Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [%] Ptot 120 100 [°C]T A 150100500 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )