BAS40 GSME | Alldatasheet
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Technical content
桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. BAS40 SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管 (BA S40
FEATURES
特點 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Power dissipation 耗散功率 P D (Ta=25 225 mW Forward Current 正 向電流 I F mA Reverse Voltage 反向電壓 V R V Junction and Storage Temperature 結溫和儲藏溫度 T J T stg 5to+150 DEVICE MARKING 打標 BA S40 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 A unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Ma x 最大值 Unit 單位 Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓 (IR=10uA) V (BR) V Reverse Leakage Current 反向漏電流 (VR=25V) I R uA Forward V oltage(Test Condition) 正向電壓 I F 1mAdc I F 10mAdc I F 0mAdc V F mV Diode Capacitance 二極體電容 R =1V, f=1MHz) C D pF Reverse Recovery Time 反向恢復時間 T rr nS SOT-23 内部结构
桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. BAS40 DIMENSION 外形封裝尺寸