DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 2

Technical content

Features

Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar SOT-23 SOT-323 SOT-363 SOD-523 = BAS16 = BAS16W = BAS16DW = BAS216WT Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BAS316WS Power dissipation Verlustleistung Ptot 200 mW 3) Max. average forward current Dauergrenzstrom IFAV 250 mA 3) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs IFSM 0.5 A 1 A 2 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM 85 V Reverse voltage Sperrspannung DC VR 75 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 1.6±0.1 0.6±0.1 1.1±0.1 3.8±0.3 2.7±0.1 Type Code 0.12

Durchlass-Spannung1) Tj = 25° C IF = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF < 0.715 V < 0.855 V < 1.0 V < 1.25 V Leakage current Sperrstrom1) Tj = 25° C VR = 25 V

75 V IR

< 30 nA < 1 µA Tj = 150° C VR = 25 V < 30 µA < 50 µA Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 1.5 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/ through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 500 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycles ≤ 2 %

gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2 % 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature )2 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )2 [°C]TA 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF 10-4 10-3 10-2 10-1 T = 25°Cj T = 100°Cj