BAS19 DIOTEC | Alldatasheet
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1) Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 104.02.2003 BAS 19 ... 21 Surface Mount Silicon Planar Silizium-Planar-Diode Small-Signal Diode für die Oberflächenmontage Nominal current – Nennstrom 200 mA Repetitive peak reverse voltage 85 V Periodische Spitzensperrspannung Plastic case SOT-23 Kunststoffgehäuse (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Dimensions / Maße in mm 1 = anode 2 = n. c. 3 = cathode Standard packaging taped and reeled see page 18 Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18 Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Working peak reverse voltage Arbeits-Spitzensperrspannung VRWM [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] BAS 19 100 120 BAS 20 150 200 BAS 21 200 250 Max. average forward current t p < 0.3 ms I FAV 200 mA 1) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current f > 15 Hz I FRM 625 mA 1) Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current T j = 25/g47Ct p = 1 /g58s I FSM 2.5 A Stoßstrom-Grenzwert t p = 1 s I FSM 0.5 A Max. power dissipation T A = 25/g47CP tot 500 mW 1) Verlustleistung Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T Storage temperature – Lagerungstemperatur T S – 50...+ 150/g47C
2 F:\\Data\\WP\\DatBlatt\\Einzelblätter\\bas21.wpd BAS 19 ... 21 Characteristics Kennwerte Forward voltage T j = 25/g47CI F = 100 mA V F < 1.0 mV Durchlaßspannung I F = 200 mA V F < 1.25 mV Leakage current T j = 25/g47CV R = VRRM IR < 100 nA Sperrstrom T j = 150/g47CV R = VRRM IR < 100 /g58A Junction capacitance V F = VR = 0 V C tot < 5 pF Sperrschichtkapazität f = 1 MHz Reverse recovery time I F = 10 mA über / through t rr < 50 ns Sperrverzug I R = 10 mA bis / to IR = 1 mA, UR = 6 V, RL = 100 /g83 Thermal resistance junction to ambient air R thA < 420 K/W 1) Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft