BAL99 DIOTEC | Alldatasheet
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Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-07 Dimensions - Maße [mm] 1 = n.c. /frei 2 = C 3 = A Power dissipation – Verlustleistung 310 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 70 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (T A = 25°C) BAL99 Power dissipation – Verlustleistung P tot 310 mW 1) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 250 mA 1) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs IFSM IFSM IFSM 0.5 A 1 A 2 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung V RRM 70 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (T j = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 50 mA IF = 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1000 mV < 1250 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 150°C VR = 70 V I R < 2.5 µA VR = 25 V VR = 70 V IR IR < 30 µA < 100 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 1.5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 6 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA 400 K/W 1) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1.9 Type Code 0.4 2.9 ±0.1 1.1 1.3 ±0.1 2.5 max
Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung Single Diode Einzeldiode 1 = n.c./frei 2 = C 3 = A BAL99 = JF 2 http:// www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG [%] Ptot Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. ) 120 100 01 5 0 50 100TA [°C] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj