B40S-SLIM DIOTEC | Alldatasheet

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B40S ... B500S B40S ... B500S “Slim” Profile Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage mit „schlanker“ Bauhöhe Version 2014-01-22 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 1 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 40...500 V Plastic case SO-DIL “SLIM” Kunststoffgehäuse SO-DIL „SLIM“ 8.3 x 6.4 x 2.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) B40S 40 80 B80S 80 160 B125S 125 250 B250S 250 600 B380S 380 800 B500S 500 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 9A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 45/50 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 10.1 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C

1 Per Diode – Pro Diode

2 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 0.25 2.7-0.1 10.2±0.4 7.9±0.4 1.3 2.5 0.1± 8.3-0.1 5.1 Type Typ

B40S ... B500S Characteristics Kennwerte Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV

1.0 A 1)

0.8 A 1)

Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W 1) Type Typ Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) B40S 1.7 2900 0.005 B80S 3.5 1400 0.005 B125S 5.5 900 0.005 B250S 13.3 350 0.005 B380S 17.7 280 0.005 B500S 22.2 220 0.005 1 Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2 Per Diode – Pro Diode

3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert 4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rt CL Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. IFAV [%] 120 100 [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 40a-(1a-1.1v)