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Technical content
Features
Controlled avalanche characteristic High power dissipation High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Hohe Leistungsfähigkeit Hohe Stoßstromfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.12 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte2) Type Typ DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] 3) AM2000 800 1600 > 1650 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 75°C TT = 100°C IFAV
1 A3)
0.8 A3)
Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 4) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung TA = 85°C t = 1 ms IFSM 100 A Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 40 A 44 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 8 A2s Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung IRSM = 1 mA ERSM 20 mJ Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 IRSM = 1 mA
4 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Typ 0.5 5.0±0.3 2.5 0.1 0.2 0.4 0.5 0.4
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT < 45 K/W 1) < 10 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the terminals [°C]TT 150100500 [pF] Cj Junction capacitance versus reverse voltage Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg. Typical values Typische Werte T = 25°C f = 1.0 MHz V = 50 mV j sig p-p 102 10-1 10-2 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 40a-(1a-1.1v) 102 101 10-1 10-2 [µA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 125°Cj T = 100°Cj T = 75°Cj T = 50°Cj