9435 FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9435 文件编号 S&CIC0802) P 沟道增加型 MOS 场效应管 第 页 共 页 V DS V R DS(ON) V gs @-10V, I ds 2.7 A m Ω @TYP R DS(ON) V gs @-4.5V, I ds 2.7 A m Ω @TYP 特点 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 改良的成型工艺 封装图： SOP-8 内部结构示意图 P-Channel MOSFET 最大额定值和热特性 A =25 ，除非另有说明。 参数 符号 值 单位 漏源电压 V DS V 栅源电压 V GS 漏极电流 I D A 漏极脉冲电流 I DM 工作结温和存储温度范围 T J T stg -55 to 150 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 16-Oct-2 009 Sheet o f File: E:\\ 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\495 3.ddb Drawn B y : Source Drain Gate Internal Schemaic Diagram P-Channel MOSFET
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9435 文件编号 S&CIC0802) P 沟道增加型 MOS 场效应管 第 页 共 页 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BV DSS V GS 0V, I D -250uA V 漏源电阻 R DS (on) V GS -4.5V, I D 2.7 A 88.0 100 m Ω R DS (on) V GS -10V, I D 2.7 A 68.0 85.0 栅极阈值电压 V GS (th) V DS V GS I D -250uA 0.5 0.75 V 栅源短路时漏极电流 I DSS V DS V GS uA 漏极短路时截止栅电流 I GSS V GS I DS =0V 100 nA 漏源二极管 二极管最大正向电流 I S 4.0 A 二极管正向电压 V SD I S V GS -1.3 V 、脉冲测试：脉冲宽度 300us ，占空比