9205A FUMAN | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 4

Technical content

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 9205A(文件编号:S&CIC1599) 10VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 1 页 共 4 页 Version1.0 10VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET RS1S2(ON),VG1S1=VG2S2=2.5V,Ids=2.0A=50mΩ RS1S2(ON),VG1S1=VG2S2=4.5V,Ids=3.0A=42mΩ 特点  专有的先进平面技术  高密度超低电阻设计  栅极带有 ESD保护  大功率、大电流应用  理想的锂电池应用  封装形式:TSSOP-8 管脚图 9205A/TSSOP-8 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Number RevisionSize B Date: 16-Apr-2013 Sheet of File: E:\\E盘\\规格书\\规格图\\规格图-0\\ZBO\\SC8205.ddbDrawn By: D1/D2 G1 G2 D1/D21 4 5 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Number RevisionSize B Date: 16-Apr-2013 Sheet of File: E:\\E盘\\规格书\\规格图\\规格图-0\\ZBO\\SC8205.ddbDrawn By: Gate1 Source1 Drain Gate2 Source2 N-ChannelMOSFET

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 9205A(文件编号:S&CIC1599) 10VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 2 页 共 4 页 Version1.0 最大额定值和热特性 (Ta=25℃,除非另有说明。) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS 10 V 栅源电压 VGS ±8 漏极电流 ID 6 A 漏极脉冲电流 IDM 20 最大功耗 TA=25℃ PD W TA=75℃ 1.3 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg -55 to150 ℃ 结环热阻(PCB安装) RθJA 62.5 ℃/W 注:重复性极限值:脉冲宽度由最高结温限制。 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BVDSS VGS =0V,ID =250uA -- 10 -- V 漏源导通内阻(MOS1+MOS2) RS1S2(on) VG1S1 =VG2S2=2.5V, ID =2.0A -- 50 60 mΩVG1S1 =VG2S2=4.5V, ID=3.0A 42 55 栅极阈值电压 VGS(th) VDS =VGS,ID =250uA 0.25 -- 1.5 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS =5V,VGS =0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS =±5V,ID=0uA -- -- ±100 nA 跨导 gfs VDS =5V,ID =5.0A -- 25.6 -- S 动态 总栅极电荷 Qg VDS =5V,ID =5A VGS =4.5V 2.32 3 nC栅源电荷 Qgs 0.65 1 栅漏电荷 Qgd 0.65 1

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 9205A(文件编号:S&CIC1599) 10VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 3 页 共 4 页 Version1.0 延迟时间(On) td(on) VDS =5V,VGS =4.5V, RL=1Ω,RGEN=6Ω 1.4 ns 上升时间(On) tr 1.1 延迟时间(Off) td(off) 9 下降时间(Off) tf 4.4 输入电容 Ciss VDS =5V,VGS =0V f=1.0MHz -- 346 -- pF输出电容 Coss -- 219 -- 反向传输电容 Crss -- 109 -- 漏源二极管 二极管最大正向电流 IS -- -- -- 1.7 A 二极管正向电压 VSD IS =1.7A, VGS =0V -- -- 1.2 V 注:脉冲测试:脉冲宽度<=300us,占空比<=2%

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 9205A(文件编号:S&CIC1599) 10VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 4 页 共 4 页 Version1.0 封装信息 TSSOP-8