SC8205 FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. SC8205 文件编号 S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A 75m Ω RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A 38m Ω RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A 30m Ω RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A 28m Ω RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A 25m Ω 特点 专有的先进平面技术 高密度超低电阻设计 大功率、大电流应用 理想的锂电池应用 封装形式： TSSOP-8/SOT-23-6 8205A/TSSOP-8 8205S/SOT-23-6 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 16-Apr-2 013 Sheet o f File: E:\\E 盘 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\SC820 5.ddb Drawn B y: D1/D2 D1/D2 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 13-Jul-20 13 Sheet o f File: E:\\E 盘 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\SC820 5.ddb Drawn B y: NC D A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 16-Apr-2 013 Sheet o f File: E:\\E 盘 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\SC820 5.ddb Drawn B y: Gate1 Source1 Drain Gate2 Source2 N-Channel MOSFET
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. SC8205 文件编号 S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 最大额定值和热特性 (Ta ，除非另有说明。 参数 符号 值 单位 漏源电压 V DS V 栅源电压 V GS 漏极电流 I D A 漏极脉冲电流 I DM 最大功耗 TA P D W TA 1.3 工作结温和存储温度范围 T T stg -55 to 150 结环热阻（ PCB 安装） R θ JA 62.5 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BV DSS V GS 0V, I D 250uA V 漏源电阻 R DS (on) V GS 1.8V,I D 2.0A 53.0 75.0 m Ω V GS 2.5V,I D 3.5A 30.0 38.0 V GS 4.0V,I D 4.5A 23.0 30.0 V GS 4.5V,I D 4.5A 22.0 28.0 V GS 10V,I D 5.0A 20.0 25.0 栅极阈值电压 V GS (th) V DS V GS I D 250uA 0.5 1.5 V 栅源短路时漏极电流 I DSS V DS 20V, V GS uA 漏极短路时截止栅电流 I GSS V GS 12V, I D =0uA 100 nA 跨导 g fs V DS 15V, I D 6.0 A S
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. SC8205 文件编号 S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 页 共 页 V ersion 动态 总栅极电荷 Q g V DS 10V,I D V GS 4.5V 6.24 8.11 nC 栅源电荷 Qg s 1.64 2.13 栅漏电荷 Q gd 1.34 1.74 延迟时间（ On t d(on) V DD 10V,I D I D 1A,V GS 4.5V 10.4 20.8 ns 上升时间（ On t r 4.4 8.8 延迟时间（ Off t d(off) 27.36 54.72 下降时间（ Off t f 4.16 8.32 输入电容 C iss V DS 8V, V GS f=1.0MHz 522.3 pF 输出电容 C oss 98.48 反向传输电容 C rss 74.69 漏源二极管 二极管最大正向电流 I S 1.7 A 二极管正向电压 V SD I S 1.7A, V GS 1.2 V 注：脉冲测试：脉冲宽度 <=300us ，占空比 <=2%