8205D FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205D(文件编号：S&CIC1696) 20V N 沟道增强型MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 Version1.0 描述 20VMOSFET 技术 极低的导通电阻 超快的开关速度 Drain(2、5脚内部连接金属线连接)。 Vgs±8V 电路结构图 应用 用于单节锂电池保护（仅限于锂电池保护板使用） 不适用电路如（图一），不可当 10mohm MOSFET 并联使用！ 封装形式：SOT23-6 8205D/SOT23-6 （图一） （(D1/D2Pin2和 Pin5不连出)） 订购信息 工作温度范围（结温） 封装 型号 包装数量 -55°C~+150°C SOT23-6 Pb-Free 8205D 3000片/盘
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205D(文件编号：S&CIC1696) 20V N 沟道增强型MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version1.0 最大额定值 参数 符号 值 单位 漏源电压 VBDSB 20 V 栅源电压 VBGSB ±8 V 漏极电流，VBGSB=4.5V，@TBaB=25°C IBDB 6 A 漏极电流，VBGSB=4.5V，@TBaB=70°C IBDB 4.8 A 漏极脉冲电流（注1） IBDMB 20 A 工作结温 TBjB -55~+150 °C 存储温度 TBstgB -55~+150 °C 电气特性(Ta=25℃，除非另有说明。) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVBDSSB VBGSB=0,IBDB=250µA 19.5 20.5 V 漏源漏电流 IBDSSB VBDSB=16V,VBGSB=0 - - 1 µA 栅源漏电流 IBGSSB VBGSB=6V,VBDSB=0 - - 1 uA 击穿电压温度系数 △BVBDSS /△TBjB 参考点25°C IBDB=1mA - 0.03 - V/°C 栅极门限电压 VBGS(th)B VBDSB=VBGSB,IBDB=250µA 0.4 0.65 1.0 V 漏源导通电阻 RBSS(ON)B VBGSB=4.5V，IBDB=6A - 39 54 mΩ VGS=3.8V,IBDB=3A 45 58 mΩ VBGSB=2.5V，IBDB=3.0A - 52 68 mΩ 正向跨导 gBfsB VBDSB=5V,IBDB=4.5A - 10 - S 源漏正向导通电压 VBSDB IBSB=1.0A,VBGSB=0V TBjB=25°C - 0.72 1.2 V
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205D(文件编号：S&CIC1696) 20V N 沟道增强型MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 3 页 共 3 页 Version1.0 封装信息 SOT23-6