8205B FUMAN | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 4
Technical content
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205B(文件编号：S&CIC1639) 20VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 1 页 共 4 页 Version1.0 20VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@4.0A=19mΩ RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@5A=16mΩ 特点 专有的先进平面技术 高密度超低电阻设计 大功率、大电流应用 理想的锂电池应用 封装形式：SOT23-6 8205B/SOT23-6 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Number RevisionSize B Date: 30-Oct-2014 Sheet of File: E:\\E盘\\规格书\\规格图\\规格图-0\\ZBO\\8810S.ddbDrawn By: 1 2 3 456 S1 S2D DG1 G2 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Number RevisionSize B Date: 16-Apr-2013 Sheet of File: E:\\E盘\\规格书\\规格图\\规格图-0\\ZBO\\SC8205.ddbDrawn By: Gate1 Source1 Drain Gate2 Source2 N-ChannelMOSFET
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205B(文件编号：S&CIC1639) 20VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 2 页 共 4 页 Version1.0 最大额定值和热特性 (Ta=25℃，除非另有说明。) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS 20 V 栅源电压 VGS ±12 漏极电流 ID 7 A 漏极脉冲电流 IDM 20 最大功耗 TA=25℃ PD 2.0 W TA=75℃ 1.3 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg -55 to150 ℃ 结环热阻（PCB安装） RθJA 62.5 ℃/W 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BVDSS VGS =0V,ID =250uA 20 -- -- V 漏源电阻 RDS(on) VGS=4.5V,ID=5A -- 16.0 20.0 mΩVGS=2.5V,ID=4A -- 19.0 25.0 VGS=1.8V,ID=3A 24.0 34.0 栅极阈值电压 VGS(th) VDS =VGS,ID =250uA 0.45 0.65 1 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS =20V,VGS =0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS =±12V,ID=0uA -- -- ±100 nA 跨导 gfs VDS =15V,ID =6.0A -- 29 -- S 动态 总栅极电荷 Qg VDS =10V,ID =6A 6.24 8.11 nC
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205B(文件编号：S&CIC1639) 20VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 3 页 共 4 页 Version1.0 VGS =4.5V栅源电荷 Qgs 1.64 2.13 栅漏电荷 Qgd 1.34 1.74 延迟时间（On） td(on) VDD =10V,ID =6A ID =1A,VGS =4.5V 10.4 20.8 ns 上升时间（On） tr 4.4 8.8 延迟时间（Off） td(off) 27.36 54.72 下降时间（Off） tf 4.16 8.32 输入电容 Ciss VDS =8V,VGS =0V f=1.0MHz -- 522.3 -- pF输出电容 Coss -- 98.48 -- 反向传输电容 Crss -- 74.69 -- 漏源二极管 二极管最大正向电流 IS -- -- -- 1.7 A 二极管正向电压 VSD IS =1.7A, VGS =0V -- -- 1.2 V 注：脉冲测试：脉冲宽度<=300us，占空比<=2%
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 8205B(文件编号：S&CIC1639) 20VN沟道增强型MOS场效应管 www.superchip.cn 第 4 页 共 4 页 Version1.0 封装信息