DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 29
Technical content
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 1 页 共 29 页 一、概括描述 78P156N 是采用低功耗高速 CMOS 工艺设计开发的 8 位单片机。其内部有 1K× 13位一次性编程 ROM （OTP-ROM） 。它还提供一个保护位避免用户存在OTP 的程序被读取。6 个选择位完全可以满足用户的需要。 具有 OTP-ROM 特点的78P156N 能够为用户提供开发和校验程序的便利，而且用户可以使用EMC Writer 轻 松开发程序。 二、功能特点 工作电压范围：2.3V~5.5V。 工作频率范围（基于2 个clocks）。 低功耗 * 5V/4MHz 工作条件下电流小于1.6mA。 * 3V/32MHz 工作条件下电流典型值为15uA。 * 睡眠模式下电流典型值为1uA。 1K× 13位片内ROM。 一个安全寄存器保证程序不被读出。 一个配置寄存器满足用户要求。 48× 8位片内寄存器（SRAM 通用寄存器） 。 2 个双向I/O 端口。 5 级堆栈。 8 位实时定时器/计数器（TCC） ，其信号源和触发沿可由软件设定，可设置溢出中断。 每个指令周期为2 个时钟周期。 省电模式（SLEEP 模式） 。 3 个中断源。 * TCC 溢出中断。 * 输入引脚状态变化中断（从睡眠模式唤醒） 。 * 外部中断。 可编程自由运行看门狗定时器（WDT）。 8 个引脚可编程设置为上拉。 7 个引脚可编程设置为下拉。 8 个引脚可编程设置为漏极开路。 2 个引脚可编程设置为R-option。 封装形式： * SOP-18（78P156S） * DIP-18（78P156N） 99.9%指令为单指令周期。 系统区分HXT 和LXT 频率点在400KHz 左右。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 2 页 共 29 页 三、引脚分配 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 29-Oct-2 011 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\78P156 N.ddbDrawn B y: 9 10 P50 P51P52 P53 TCC OSCI OSCO VDD /RESET VSS P60/INT P61 P62 P63 P64 P65 P66 P67 DIP-18/SOP-18 图1 引脚分配图 序号 名称 I/O 功能说明
14 VDD — 电源
16 OSCI I XTAL 型：晶振或外部时钟输入端
ERC 型：RC 振荡器输入端
15 OSCO I/O
XTAL 型：晶振输出或外部时钟输入端 RC 型：指令时钟输出端 外部时钟信号输入
3 TCC I 实时定时计数器（斯密特触发）输入引脚，不用
时必须与VDD 或VSS 连接 4 /RESET I 斯密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其 控制器也将保持在复位状态 17、18 1、2 P50~P53 I/O P50~P53 是双向I/O 引脚 P50 和P51 也可定义为R-option 引脚 P50~P52 可由软件设为下拉 6~13 P60~P67 I/O P60~P67 是双向I/O 引脚 都可由软件设为上拉或漏极开路 P60~P63 可由软件设为下拉 6 /INT I 下降沿触发的外部中断引脚
5 VSS — 地
四、功能描述 图 2 功能模块图
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 3 页 共 29 页 操作寄存器 1. R0（间址寄存器） R0 并非实际存在的寄存器。 它的主要功能是作为间接寻址指针。 任何以R0 为指针的指令实际上是对RAM 选择寄存器R4 所指的数据进行操作。 2. R1（定时器/计数器） 由 TCC 引脚的边沿（由CONT-4：TE 设定）或指令周期时钟触发加1 操作。 可读写。 通过设置PAB（CONT-3）来定义。 如果PAB 位（CONT-3）被清零，可将预除器分配给TCC。 只有当写入TCC 寄存器时，预分频计数器的内容被清零。 3. R2（程序计数器）和堆栈 根据控制器的类型，R2 和硬件堆栈为10 位宽。参见图3 所示的程序计数器结构图。 产生 1024× 13位片内OTP ROM 地址以获取对应的程序指令编码。一个程序页是1024 字长。 在复位状态下R2 所有位被清零。 “JMP”指令直接装载R2 低10 位值。因此“JMP”可以让PC 在一个程序页中任意跳转。 “CALL”指令装载PC 的低10 位值，并交PC+1 的值入栈。因此子程序的入口地址可以一个程序页 任意地方。 “ADD R2，A”允许把A 的内容加到当前PC 上，同时PC 的第9 位和第10 位被清零。 “MOV R2，A”允许将A 寄存器的内容装载到PC 的低8 位，同时PC 的第9 位和第10 位被清零。 引起PC 的第9、10 位清零，因此产生的跳转只限于一程序页前256 个地址。 除了改变R2 的指令需要2 个指令周期外，其余的指令只需要一个指令周期。 图3 程序计数器结构图
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 4 页 共 29 页 图 4 数据存储结构图 4. R3（状态寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 GP2 GP1 GP0 T P Z DC C 第 0 位（C）进位标志。 第 1 位（DC）辅助进位标志。 第 2 位（Z）零标志位。 当算术运算或逻辑运算的结果为0 时，该位置1。 第 3 位（P）低功耗位。 执行“WDTC”指令或上电后该位置1，执行“SLEP”指令后该位清零。 第 4 位（T）时间溢出位 执行“SLEP”和“WDTC”指令或上电后该位置1，当WDT 溢出时清零。 5. R4（RAM 选择寄存器） 第 6~7 位一直置为1。 当 R4 的内容为“3F”时，R3 的零标志位将被置1，当R4=R4+1，R4 的内容将要选择作为R0。 参见图4 数据存储结构图。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 5 页 共 29 页 6. R5~R6（Port 5~ Port 6） R5 和R6 是输入/输出寄存器。 R5 只有低4 位有效。 7. RF（中断状态寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 第 0 位（TCIF）TCC 溢出中断标志。当TCC 溢出时置1，软件清零。 第 1 位（ICIF）P6 口输入状态变化中断标志。P6 口输入变化置1，软件清零。 第 2 位（EXIF）外部中断标志。出/INT 引脚的下降沿置1，软件清零。 第 3~7 位未用。 RF 可通过指令清零，但不能置1。 IOCF 是中断屏蔽寄存器。 注意：读出的RF 值是RF 和 IOCF 逻辑与的结果。 8. R10~R3F 全部是8 位通用寄存器。 特殊功能寄存器 1. A（累加器） 用于内部数据传输，指令操作数保持。 不可寻址。 2. CONT（控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 — /INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 第 0 位~第2 位（PSR0~PSR2）是TCC/WDT 预分频位。 PSR2 PSR1 PSR0 TCC Rate WDT Rate 0 0 0 1:2 1:1 0 0 1 1:4 1:2 0 1 0 1:8 1:4 0 1 1 1:16 1:8 1 0 0 1:32 1:16 1 0 1 1:64 1:32 1 1 0 1:128 1:64 1 1 1 1:256 1:128 第 3 位（PAB）预除器分配位。 0：TCC 1：WDT 第 4 位（TE）TCC 信号选择位。 0：当TCC 引脚发生由低到高的变化时R1 加1。 1：当TCC 引脚发生由高到低的变化时R1 加1。 第 5 位（TS）TCC 信号源选择位。 0：内部指令周期时钟。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 6 页 共 29 页 1：TCC 引脚状态变化。 第 6 位（/INT）中断允许标志。 0：由DISI 指令或硬件中断屏蔽。 1：由ENI/RETI 指令允许中断。 第 7 位未用。 CONT 寄存器可读写。 3. IOC5~IOC6（I/O 口控制寄存器） “1”定义相关I/O 引脚为高阻输入状态，“0”定义相关I/O 引脚为输出。 IOC5 仅低4 位可定义。 IOC5 和 IOC6 寄存器都是可读可写的。 4. IOCA（预除器控制寄存器） IOCA 寄存器是可读的。 IOCA 的值等于预分频计数器的内容。 减计数器。 5. IOCB（下拉控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 /PD7 /PD6 /PD5 /PD4 — /PD2 /PD1 /PD0 第 0 位（/PD0）使能P50 引脚为下拉状态的控制位。 0：使能内部下拉。 1：禁止内部下拉。 第 1 位（/PD1）使能P51 引脚为下拉状态的控制位。 第 2 位（/PD2）使能P52 引脚为下拉状态的控制位。 第 3 位未用。 第 4 位Bit 4（/PD4） 使能P60 引脚为下拉状态的控制位。 第 5 位Bit 5（/PD5） 使能P61 引脚为下拉状态的控制位。 第 6 位Bit 6（/PD6） 使能P62 引脚为下拉状态的控制位。 第 7 位Bit 7（/PD7） 使能P63 引脚为下拉状态的控制位。 IOCB 寄存器是可读可写的。 6. IOCC（漏极开路控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 OD7 OD6 OD5 OD4 OD3 OD2 OD1 OD0 第 0 位（OD0）使能P60 引脚为漏极开路状态的控制位。 0：禁止漏极开路输出。 1：使能漏极开路输出。 第 1 位（OD1）使能P61 引脚为漏极开路状态的控制位。 第 2 位（OD2）使能P62 引脚为漏极开路状态的控制位。 第 3 位（OD3）使能P63 引脚为漏极开路状态的控制位。 第 4 位（OD4）使能P64 引脚为漏极开路状态的控制位。 第 5 位（OD5）使能P65 引脚为漏极开路状态的控制位。 第 6 位（OD6）使能P66 引脚为漏极开路状态的控制位。 第 7 位（OD1）使能P67 引脚为漏极开路状态的控制位。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 7 页 共 29 页 IOCC 寄存器是可读可写的。 7. IOCD（上拉控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 /PH7 /PH6 /PH5 /PH4 /PH3 /PH2 /PH1 /PH0 第 0 位（/PH0）使能P60 引脚为上拉状态的控制位。 0：使能内部上拉。 1：禁止内部上拉。 第 1 位（/PH1）使能P61 引脚为上拉状态的控制位。 第 2 位（/PH2）使能P62 引脚为上拉状态的控制位。 第 3 位（/PH3）使能P63 引脚为上拉状态的控制位。 第 4 位（/PH4）使能P64 引脚为上拉状态的控制位。 第 5 位（/PH5）使能P65 引脚为上拉状态的控制位。 第 6 位（/PH6）使能P66 引脚为上拉状态的控制位。 第 7 位（/PH7）使能P67 引脚为上拉状态的控制位。 IOCD 寄存器是可读可写的。 8. IOCE（WDT 控制寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 第 7 位（WDTE）WDT 使能控制位。 0：禁止WDT。 1：使能WDT。 0：P60，双向I/O 引脚。 1：/INT，外部中断引脚。在这种情况下P60 的 I/O 控制位（IOC6 的第0 位）必须置1。 当 EIS 为 0 时，/INT 通道被屏蔽。当EIS 为 1 时，/INT 引脚状态也可由P6 口（R6）读出。参见 图 7（a）所示。 第 4 位（ROC）ROC 用于R-option 功能。 置ROC 为 1，使能R-option 功能，其引脚P50~P51 的状态可由控制器读出。ROC 清零禁止 R-option 功能。如果 R-option 功能被使用，用户必须使P51 引脚和/或 P50 引脚通过一个 430KΩ 外接电阻r（Rex）与VSS 相连。若Rex 接入/未接，读到P50（P51）的状态是0/1。参见图8 所 第 0~3、5 位未用 9. IOCF（中断屏蔽寄存器） 7 6 5 4 3 2 1 0 第 0 位（TCIE）TCIF 中断使能位。 0：禁止TCIF 中断。 1：使能TCIF 中断。 第 1 位（ICIE）ICIF 中断使能位。 0：禁止ICIF 中断。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 8 页 共 29 页 1：使能ICIF 中断。 第 2 位（EXIE）EXIF 中断使能位。 0：禁止EXIF 中断。 1：使能EXIF 中断。 第 3~7 位未用。 通过 IOCF 中的相关控制位置1，使能各个相关中断。 总中断是由ENI 指令使能，由DISI 指令禁。参见图10 所示。 IOCF 寄存器是可读写的。 TCC/WDT 和预除器 TCC 或WDT 有一个8 位计数器做预除器。在同一时间它只能分配其中一方，这由CONT 寄存器的PAB 位 决定。PSR0~PSR2 位确定分频系数。若分配给TCC，在TCC 模式下则每次写TCC 操作均将预除器清0。若分 配给WDT，则WDT 和预除器均在执行WDTC 或SLEP 指令时清0。图5 详细描述了TCC/WDT 电路特性。 R1（TCC）为 8 位定时器/计数器。TCC 时钟源可为内部时钟或外部时钟（由TCC 引脚输入，触发沿可选 择） 。如果是内部时钟，每个指令周期TCC 加 1（无预除器） 。由图5 可知，指令周期是 2 个还是 4 个时钟周期 由代码选择寄存器CLKS 位决定。CLKS=0 则CLK=Fosc/2，CLKS=1 则CLK=Fosc/4。 如果是外部时钟， 则TCC 由外部信号边沿触发。 WDT 是一个自由运行的片内RC 振荡器。当控制器振荡关闭后，WDT 依然运行，即使在睡眠模式下亦如此。 WDT 溢出将引起复位（若WDT 使能） 。在正常工作时，WDT 可由软件设置IOCE 的WDTE 位来使能或禁止。 在没有预分频情况下，WDT 溢出时间约为18ms。 图5 TCC 和WDT 模块图 注：VDD=5V，启动时间=16.8ms± 30% VDD=3V，启动时间=18ms± 30% I/O 端口 I/O 端口P5、P6 均为双向三态I/O 口。P6 口可由软件设置为内部上拉或漏极开路输出。此外，P6 口也可软 件设置漏极开路输出。P6 口具有输入状态变化中断（或唤醒）功能。P50~P52、P60~P63 可由软件设置为下拉。 各 I/O 引脚可由 I/O 控制寄存器设置为输入或输出。P50、P51 为 R-OPTION 引脚，由 IOCE 寄存器的ROC 位 置 1 使能。使用 R-OPTION 功能时 P50、P51 应设为输出。在 R-OPTION 模式下，若为低功耗应用，应考虑
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 9 页 共 29 页 Rex 电阻上的电流消耗。I/O 寄存器和I/O 控制寄存器均可读写。 I/O 寄存器和I/O 控制寄存器都是可读可写的。P5 和P6 的 I/O 接口电路I 见下图6，图7（a），7（b） ，图8。 注：下拉未在图中表示 图6 P5 I/O 端口和I/O 控制寄存器电路
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 10 页 共 29 页 注：上拉（下拉）和漏极开路未在图中表示 图 7（a） P60（/INT）I/O 端口和I/O 控制寄存器电路 注：上拉（下拉）和漏极开路未在图中表示 图 7（b） P61~P67 I/O 端口和I/O 控制寄存器电路
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 11 页 共 29 页 图 7（c） 带有输入转换中断/唤醒功能的P6 口模块图 表 4 P6 口输入状态变化中断或唤醒功能的用法 （I）Wake-up from port 6 input status change （a）Before SLEEP 1. Disable WDT （using very carefully） 2. Read I/O port 6 （MOV R6, R6） 3. Execute “ENI” or “DISI ” 4. Enable interrupt （Set IOCF. 1） 5. Execute “SLEP” instruction （b）After Wake-up 1. IF “ENI” →Interrupt vector （008H） 2. IF “DISI” →Next instruction （II）Port 6 input status change interrupt 1. Read I/O Port 6（MOV R6, R6） 2. Execute “ENI” 3. Enable interrupt （Set IOCF. 1） 4. IF Port 6 change（interrupt） →Interrupt vector （008H） 注：在使用P6 输入转变唤醒功能之前，软件禁止WDT（watchdog timer）但硬件必须使能。代码选择寄存器和 第 11 位（ENWDTB-）置1.
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 12 页 共 29 页 图 8 具有R-option（P50, P51）功能的I/O 口电路 复位和唤醒 1. 复位 复位由下列情况之一引起： 1) 上电复位。 2) /RESET 引脚输入低电平。 3) WDT 溢出（若使能） 。 在复位动作被检测到之后，单片机保持复位状态18ms（振荡器起振时间） 。一旦复位发生，单片机将 会执行下列功能。参见图9。 振荡器继续振荡或起振。 PC 清为0。 所有I/O 引脚定义为输入模式（高阻状态） 。 WDT 和预除器清0。 上电时，R3 高 3 位清0。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 13 页 共 29 页 CONT 寄存器除第6 位（INT 标志）外，全置为1。 IOCA 寄存器全置为1。 IOCB 寄存器全置为1。 IOCC 寄存器清0。 IOCD 寄存器全置为1。 IOCE 寄存器第7 位置为1，第4、6 位清0。 RF、IOCF 寄存第0~2 位清0。 执行SLEP 指令可进入睡眠模式（低功耗模式） 。进入睡眠模式时，WDT（若使能）清0 但 继续运行。单片机可被如下情况唤醒： 1) /RESET 引脚上输入的外部复位信号。 2) WDT 溢出（若使能） 。 3) P6 输入状态改变（若使能） 。 前两种情况回引起78P156N 复位。R3 的T 和P 位可以决定复位（唤醒）的来源。唤醒后程序 继续执行，由中断状态程序是否转入中断处理程序。最后一种情况是后续的程序执行和总中断（在 执行 ENI 和 DISI 指令后）决定了寄存器是否会跳到唤醒后中断向量。如果在SLEP 指令执行前执 行 ENI 指令，程序将从地址0X08H 处执行中断处理。如果在执行SLEP 指令前执行DISI 指令，程 序将从SLEP 指令的下一个指令开始执行。 进入睡眠状态前，2、3 两种情况只有一种可被使能。 a) 如果睡眠前PORT6 输入唤醒使能，则WDT 应由软件禁止（代码选择寄存器中WDT 仍为 使能） 。因此，78P156N 可被1、3 两种情况唤醒。 b) 在 SLEP 前如果WDT 使能，则 PORT6 输入唤醒应禁止。因此，78P156N 可被 1、2 两 种情况唤醒。 如果PORT6 输入变化中断被用于唤醒单片机，则如下指令应在SLEP 指令前执行： MOV A，@xx000110b ; 选择内部TCC 时钟 CONTW CLR R1 ; 清TCC 和预除器 MOV A，@xx000110b ; 选择WDT 预除器 CONTW WDTC ; 清WDT 和预除器 MOV A，@0xxxxxxxb ; 禁止WDT IOW RE MOV R6, R6 ；读P6 MOV A，@00000x1xb ；使能P6 输入变化中断 IOW RF ENI （or DISI ） ；使能（或禁止）全中断 SLEP ；进入睡眠 NOP 有一个问题应注意，从睡眠模式唤醒后WDT 功能将自动使能。因此，唤醒后WDT（使能或禁 止）应根据需要软件设置。 表 5 寄存器初始值一览表 Address Name Reset Type Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 14 页 共 29 页 N/A IOC5 Bit Name X X X X C53 C52 C51 C50 Power-on U U U U 1 1 1 1 /RESET and WDT U U U U 1 1 1 1 Wake-up from pin change U U U U P P P P N/A IOC6 Bit Name C67 C66 C65 C64 C63 C62 C61 C60 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 Wake-up from pin change P P P P P P P P N/A CONT Bit Name X /INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 Power-on 1 0 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 0 1 1 1 1 1 1 Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x00 R0（IAR） Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x01 R1（TCC） Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x02 R2（PC） Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 Wake-up from pin 0x03 R3（SR） Bit Name GP2 GP1 GP0 T P Z DC C Power-on 0 0 0 1 1 U U U /RESET and WDT 0 0 0 t t P P P Wake-up from pin change P P P t t P P P 0x04 R4（RSR） Power-on 1 1 U U U U U U /RESET and WDT 1 1 P P P P P P Wake-up from pin change 1 1 P P P P P P 0x05 P5 Bit Name X X X X P53 P52 P51 P50
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 15 页 共 29 页 Power-on 0 0 0 0 U U U U /RESET and WDT 0 0 0 0 P P P P Wake-up from pin change 0 0 0 0 P P P P 0x06 P6 Bit Name P67 P66 P65 P64 P63 P62 P61 P60 Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT P P P P P P P P Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x0F RF（ISR） Bit Name X X X X X EXIF ICIF TCIF Power-on U U U U U 0 0 0 /RESET and WDT U U U U U 0 0 0 Wake-up from pin change U U U U U P P P 0x0A IOCA Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x0B IOCB Bit Name /PD7 /PD6 /PD5 /PD4 X /PD2 /PD1 /PD0 Power-on 1 1 1 1 U 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 U 1 1 1 Wake-up from pin change P P P P U P P P 0x0C IOCC Bit Name 0D7 0D6 0D5 0D4 0D3 0D2 0D1 0D0 Power-on 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET and WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x0D IOCD Bit Name /PH7 /PH6 /PH5 /PH4 /PH3 /PH2 /PH1 /PH0 Power-on 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET and WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 Wake-up from pin change P P P P P P P P 0x0E IOCE Bit Name WDTE EIS X ROC X X X X Power-on 1 0 U 0 U U U U /RESET and WDT 1 0 U 0 U U U U Wake-up from pin change 1 P U P U U U U 0x0F IOCF Bit Name X X X X X EXIE ICIE TCIE Power-on U U U U U 0 0 0
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 16 页 共 29 页 /RESET and WDT U U U U U 0 0 0 Wake-up from pin change U U U U U P P P 0x10~ 0x2F R10~ R2F Power-on U U U U U U U U /RESET and WDT U U U U U U U U Wake-up from pin change P P P P P P P P ** 跳到地址0x08 或执行SLEP 指令后的下一条指令。 2. 状态寄存器RST，T 和P 的标志 T、P 的值见表6，用于判断单片机如何唤醒。表7 显示了一些影响到T、P 状态的情况。 表 6 复位后RST、T 和P 的值 Reset Type T P Power on 1 1 /RESET during operating mode *P *P /RESET wake-up during SLEEP mode 1 0 WDT during operating mode 0 *P WDT wake-up during SLEEP mode 0 0 Wake-Up on pin change during SLEEP mode 1 0 *P：复位前的状态。 表 7 影响T 和P 状态的情况 Reset Type T P Power on 1 1 WDTC instruction 1 1 WDT time-out 0 *P SLEP instruction 1 0 Wake-Up on pin change during SLEEP mode 1 0 *P：复位前的状态。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 17 页 共 29 页 图9 控制器复位模块图 中断 78P156N 有如下3 种情况可引起下降沿中断： 在 PORT6 输入变化中断使能前，读R6 寄存器是必要的。PORT6 的每一个引脚均可具有这个功能，处于输 出状态的引脚及作/INT 引脚的P60 除外。如果在执行SLEP 指令进入睡眠模式之前使能I/O 输入变化中断， 则其 可唤醒单片机。唤醒后，若全局中断禁止，则单片机执行SLEP 后一指令，若全局中断使能，则从中断向量地址 0x008 起执行指令。 RF，中断标志寄存器，在相应位记录了中断请求情况。IOCF 为中断屏蔽寄存器。全局的中断使能或禁止由 ENI 或DISI 指令完成。当有一个中断发生时，下一指令由地址0X08 取出。一旦进入中断处理程序，可轮流检测 RF 寄存器来确定中断源。退出中断处理子程序前，必须清中断标志并使能中断以免重复中断。 不管是否允许中断，RF 寄存器的相应位会由中断置位。读RF 的结果是RF 和IOCF 的逻辑与。参见图10， RETI 指令结束中断子程序并使能中断。 当 INT 指令（若使能）产生中断时，下一指令将从地址001H 取出。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 18 页 共 29 页 图 10 中断输入电路 振荡器 1. 振荡器模式 78P156N 可工作在 3 种不同的振荡器模式下：外部RC 振荡器模式（ERC） ，高频晶振模式（HXT） ，低 频晶振模式（LXT） 。用户可通过对代码寄存器中的MS、HLF 两位编程选择。表8 叙述了如何定义这3 种模 式。表9 给出了不同工作电压下晶振/谐振器的最高工作频率。 表 8 由MS 和HLP 定义振荡器模式 Mode MS HLF HLP ERC（External RC oscillator mode） 0 *X *X HXT（High XTAL oscillator mode） 1 1 *X LXT（Low XTAL oscillator mode） 1 0 0 注：1、X：不必关心 2、在HXT 和LX 之间的系统瞬时频率大约为400KHz。 表 9 工作速度的最大范围 Conditions VDD Fxt max. (MHz) Two cycles with two clocks 2.3 4.0 3.0 8.0 5.0 20.0 2. 晶体振荡器/陶瓷振荡器（XTAL） 78P156N 可以由外部时钟通过 OSCI 引脚来驱动，如图11 所示：
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 19 页 共 29 页 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 1-N ov-2 011 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\78P156 N.ddbDrawn B y: OSCI OSCO Ext. Clock 图 11 外部时钟输入电路 在大多数应用中，引脚OSCO 和OSCI 上可接晶体或陶瓷谐振器来产生振荡。图12 为电路。不论是HXT 还是 LXT 模式都适用。表10 为C1、C2 的推荐值。由于各个谐振器特性不同，用户应参照其规格选择C1、 C2 的合适值。串联电阻RS 对于低频模式和AT strip cut晶体是需要的。 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 1-N ov-2 011 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\78P156 N.ddbDrawn B y: OSCI OSCO XT AL RS 图 12 晶振/谐振器电路 表 10 晶体/陶瓷振器中电容的选择 Oscillator Type Frequency mode Frequency C1（pF） C2（pF） Ceramic resonators HXT 455KHz 100~150 100~150 2.0MHz 20~40 20~40 4.0MHz 10~30 10~30 Crystal oscillator LXT 32.768KHz 25 15 100KHz 25 25 200KHz 25 25 HXT 455KHz 20~40 20~150 1.0KHz 15~30 15~30 2.0KHz 15 15 4.0KHz 15 15
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 20 页 共 29 页 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 1-N ov-2 011 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\78P156 N.ddbDrawn B y: OSCI 7404 7404 7404 330 330 C XT AL 图 13 晶振/谐振器串联电路 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 1-N ov-2 011 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\78P156 N.ddbDrawn B y: OSCI 7404 7404 4.7K 10K VD D XT AL C1 C2 图 14 晶振/谐振器并联电路 3. 外部RC 振荡器模式 在一些不需要精确计时的应用中，使用RC 振荡器（如图15）可以节省部分费用。尽管如此，还是应该 注意到，RC 振荡器的频率与电压、电阻值、电容值、甚至工作温度均有关。并且各芯片之间由于生产工艺 差别，频率也会发生细微变化。 为了获得稳定的系统频率，电容值不能小于 20pF，电容值不能大于 1MΩ。如果它们不在该范围之内， 频率将很容易受噪声、湿度、漏电的影响。 RC 振荡器的电阻R 越小频率越高。另一方面，对于很小的电阻值S，如1KΩ，由于NMOS 不能正确将 电容放电，振荡器将变得不稳定。 基于上述原因，必须牢记电源电压、工作温度、RC 振荡器部件、封装形式及PCB 布线方式均会影响系 统频率。 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Titl e Nu mber Rev isionSize B Date: 1-N ov-2 011 Sheet o f File: E:\\E盘\\规 格 书\\规 格 图\\规 格 图-0\\ZB O\\78P156 N.ddbDrawn B y: OSCI VD D Rext Cext 图15 外部振荡器模式下的电路
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 21 页 共 29 页 表 11 RC 振荡器的频率 Cext Rext Average Fosc 5V,25oC Average Fosc 3V,25oC 20pF 3.3k 3.92 MHz 3.65 MHz 5.1k 2.67 MHz 2.60 MHz 10k 1.39 MHz 1.40 MHz 100k 149 KHz 156 KHz 100pF 3.3k 1.39 MHz 1.33 MHz 5.1k 940 KHz 920 KHz 10k 480KHz 475 KHz 100k 52 KHz 50 KHz 300pF 3.3k 595 KHz 560 KHz 5.1k 400 KHz 390 KHz 10k 200 KHz 200 KHz 100k 21 KHz 20 KHz 注：1、DIP 封装下的测量值。 2、只做设计参考。 代码选择寄存器 78P156N 有一个代码选择字，它不占正常的程序内存。在正常的程序执行期间这些选择字不会被访问。 Code Option 寄存器和用户ID 寄存器资源分配： Word 0 Word 1 Bit12~Bit0 Bit12~Bit0 1. Code Option 寄存器（Word 0） WORD 0 Bit 12 Bit 11 Bit Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 MS /ENWDT CLK CS HLF — HLP — — — — — — 0：RC 类型 1：XTAL 类型（XTAL1 和XTAL2） 0：使能 1：禁止 0：2 个振荡周期 1：4 个振荡周期 参考指令章节。 0：安全开 1：安全关
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 22 页 共 29 页 0：XTAL2 类型（低频32.768KHz） 1：XTAL1 类型（高频） 在 MS9（第12 位）为1 时，这一位将会影响到系统的振荡。当MS 为0 时，HLF 必须为0。 注：在HXT 和 LXY 之间的瞬时频率值大约为400KHz。 第7 位：保留。 这一位一直为1。 0：低功耗 1：高功耗 第5~0 位：用户ID 代码 2. 用户ID 寄存器（Word 1） Bit 12~ Bit 0 XXXXXXXXXXXXX 第12~0 位：用户ID 代码 关于上电的问题 在电源稳定之前，任何单片机均不能保证开始正常工作。78P156N 具有检测电压 1.8V 的电压监测器 （POVD） 。这就免去了外部复位电路。如果Vdd 上升的足够快（50ms 或更少） ，它将正常工作。然而，在 许多要求严格的应用中，还是需要附加的外部电路来帮助解决上电问题。 外部上电复位电路 图16 所示的电路使用了外部RC 产生复位脉冲。脉冲宽度应足够长，直至Vdd 达到最低工作电压。当 电源上升慢时， 可使用该电路。 由于/RESET 引脚的漏电流约为±5uA， 建议R 要大于40K。 这样， 引脚/RESET 上电压将保持在0.2V 以下。二极管D 的作用是在省电时充当短路回路。电容C 将快速充分放电。限流电阻 Rin 用来避免过大的放电电流或静电放电ESD 流入引脚。 Title Nu mb er Rev isio nSize B Date: 2 -No v -2 0 1 1 Sh eet o f File: F:\\7 8 P1 5 6 \\7 8 P1 5 6 N. d d b Drawn B y : Vdd /RESET 78P 156 R Rin C D 图 16 外部上电复位电路 残存电压保护 在更换电池时，电源Vdd 断开后仍有一个小于Vdd 最小值但又不为0 的残存电压。这样将引起不正常 复位。图17、18 为残存电压保护电路。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 23 页 共 29 页 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Nu mb er Rev isio nSize C Date: 4 -No v -2 0 1 1 Sh eet o f File: F:\\ 于文洁\\7 8 P1 5 6 \\7 8 P1 5 6 N. d d b Drawn B y : Vdd /RESET 78P156 Q1 40K 10K 33K Vdd 1N4684 图17 残存电压保护电路 1 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Nu mb er Rev isio nSize C Date: 4 -No v -2 0 1 1 Sh eet o f File: F:\\ 于文洁\\7 8 P1 5 6 \\7 8 P1 5 6 N. d d b Drawn B y : Vdd /RESET 78P156 Q1 40K Vdd 图18 残存电压保护电路 2 指令集 指令集中的每个指令都是 13 位的字长，由一个操作代码和一个或多个操作数组成。通常，指令的执行 时间都在1 个指令周期内 （1 个指令周期包含2 个振荡器周期）， 除了改变工作计数器R2 数值的指令如“MOV R2，A”, “ADD R2 ,A”,或者是对 R2 进行算数或逻辑操作的指令（如：“SUB R2,A ”, “BS(C) R2,6 ”, “CLR 如果由于某些原因，指令周期的描述不适合某些应用，可以做如下修改： （A）使一个指令周期包含4 个振荡器周期。 “DJZA”）执行时间位2 个指令周期。那些对PC 写操作的指令也需要2 个指令周期。 情况（A）由CODE Opition 中的CLK 位选择。如果CLK 为0，一个指令周期为2 个振荡器周期，如果 CLK 为1，一个指令周期为4 个振荡器周期。 值得注意的是（A）情况下一旦选择指令周期为4 个振荡器周期，TCC 的内部时钟源应该Fosc/4，而不 是 Fosc/2，如图5 所示。 此外，指令集具有以下特点： （1）每个寄存器的每一位都能被置1，清零或直接测试。 （2）I/O 寄存器可以作为普通寄存器，即相同的指令可对I/O 寄存器操作。 在指令中，符号“R”表示某个指定的寄存器（包括工作寄存器和普通寄存器） 。符号“b”表示在指定 的寄存器R 中的一个位元，它会影响操作。符号“k”表示一个8 位或10 位的常数。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 24 页 共 29 页 INSRUCTION BINARY HEX MNEMONIC OPERATION STATUS AFFECTED 0 0000 0000 0000
0000 NOP No Operation None
0001 DAA Decimal Adjust A C
0002 CONTW A→CONT None
0003 SLEP 0→WDT, Stop oscillator T,P
0004 WDTC 0→WDT T,P
0 0000 0000 r r r r 000r IOW R A→IOCR None <Note1> 0 0000 000 1 0000
0010 ENI Enable Interrupt None
0011 DISI Disable Interrupt None
0012 RET [Top of Stack]→PC None
0013 RETI [Top of Stack]→PC,
0014 CONTR CONT→A None
0 0000 000 1 r r r r 001r TOR R IOCR→A None <Note1> 0 0000 01r r r r r r 00rr MOV R,A A→R None 0 0000 1000 0000
0080 CLR A 0→A Z
0 0000 11r r r r r r 00rr CLR R 0→R Z 0 000 1 00r r r r r r 01rr SUB A,R R-A→A Z,C,DC 0 0001 01r r r r r r 01rr SUB R,A R-A→R Z,C,DC 0 000 1 10r r r r r r 01rr DECA R R-1→A Z 0 000 1 11r r r r r r 01rr DEC R R-1→R Z 0 0010 0 0r r r r r r 02rr OR A,R A v R→A Z 0 0010 01r r r r r r 02rr OR R,A A v R→R Z 0 0010 10r r r r r r 02rr AND A,R A & R→A Z 0 0010 11r r r r r r 02rr AND R,A A & R→R Z 0 0011 00r r r r r r 03rr XOR A,R A○+ R→A Z 0 0011 01r r r r r r 03rr XOR R,A A○+ R→R Z 0 0011 10r r r r r r 03rr ADD A,R A+R→A Z,C,DC 0 0011 11r r r r r r 03rr ADD R,A A+R→R Z,C,DC
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 25 页 共 29 页 0 0100 00r r r r r r 04rr MOV A,R R→A Z 0 0100 01r r r r r r 04rr MOV R,R R→R Z 0 0100 10r r r r r r 04rr COMA R /R→A Z 0 0100 11r r r r r r 04rr COM R /R→R Z 0 0101 00r r r r r r 05rr INCA R R+1→A Z 0 0101 01r r r r r r 05rr INC R R+1→R Z 0 0101 10r r r r r r 05rr DJZA R R-1→A, skip of zero None 0 0101 11r r r r r r 05rr DJZ R R-1→R, skip of zero None 0 0110 00r r r r r r 06rr RRCA R R(n)→A(n-1), R(0)→C,C→A(7) C 0 0110 01r r r r r r 06rr RRC R R(n)→R(n-1), R(0)→C,C→R(7) C 0 0110 10r r r r r r 06rr RLCA R R(n)→A(n+1), R(7)→C,C→A(0) C 0 0110 11r r r r r r 06rr RLC R R(n)→R(n+1), R(7)→C,C→R(0) C 0 0111 00r r r r r r 07rr SWAPA R R(0-3)→A(4-7), R(4-7)→A(0-3) None 0 0111 01r r r r r r 07rr SWAP R R(0-3)↔R(4-7) None 0 0111 10r r r r r r 07rr JZA R R+1→A, skip of zero None 0 0111 11r r r r r r 07rr JZ R R+1→R, skip of zero None 0 100b bbr r r r r r 0xxx BC R, b 0→R(b) None <Note2> 0 101b bbr r r r r r 0xxx BS R, b 1→R(b) None <Note3> 0 110b bbr r r r r r 0xxx JBC R, b if R(b)=0,skip None 0 111b bbr r r r r r 0xxx JBS R, b if R(b)=1,skip None 1 00kk kkkk kkkk 1kkk CALL k PC+1→[SP], (Page, k) →PC None 1 01kk kkkk kkkk 1kkk JMP k (Page, k) →PC None 1 1000 kkkk kkkk 18kk MOV A, k k→A None 1 1001 kkkk kkkk 19kk OR A, k A v k→A Z 1 1010 kkkk kkkk 1Akk AND A, k A & k→A Z 1 1011 kkkk kkkk 1Bkk XOR A, k A ○+ k→A Z 1 1100 kkkk kkkk 1Ckk RETL k→A, [Top of Stack]→PC None 1 1101 kkkk kkkk 1Dkk SUB A, k k-A→A Z,C,DC 1 1110 0000 0000 1E01 INT PC+1→[SP], 001H→PC None 1 1111 kkkk kkkk 1Fkk ADD A, k k-A→A Z,C,DC <Note 1>该指令只适用于IOC5~IOC6，IOCB~IOCF。 <Note 2>该指令不被推荐用于对RF 寄存器操作。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 26 页 共 29 页 <Note 3>该指令不能对RF 寄存器操作。 时序图 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Nu mb er Rev isio nSize B Date: 2 -No v -2 0 1 1 Sh eet o f File: F:\\7 8 P1 5 6 \\7 8 P1 5 6 N. d d b Drawn B y : 2.4 0.4 2.0 0.8 2.0 0.8 TE ST POINT S AC Test Input/Output Waveform AC Testing : Input is driven at 2.4V for logic “1”,and 0.4V for logic “0”.Timing measurements are made at 2.0V for logic “1” , and 0.8V for logic “0”. 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Nu mb er Rev isio nSize C Date: 4 -No v -2 0 1 1 Sh eet o f File: D:\\ 我的文档\\7 8 P1 5 6 \\7 8 P1 5 6 N. d d b Drawn B y : RESET Timing(CLK="0") CLK /RESET NOP Insruction 1 Executed Tdrh Tins Ttcc TCC Input Timing （CLKS="0"
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 27 页 共 29 页 五、绝对最大范围 Items Rating Temperature under bias 0oC to 70oC Storage temperature -65oC to 150oC Input voltage -0.3oC to +6.0 oC Output voltage -0.3oC to +6.0oC 六、电气特性 直流（DC）电气特征 (Ta=0oC ~ 70oC,VDD=5.0V± 5%，VSS=0V) Symbol Parameter Condition Min Typ. Max Unit FXT XTAL:VDD to 3V Two cycle with two clocks DC 8.0 MHz XTAL:VDD to 5V Two cycle with two clocks DC 20.0 MHz ERC ERC:VDD to 5V R:5.1KΩ,C:100pF F± 30% 940 F± 30% KHz IIL Input Leakage Current for input pins VIN=VDD,VSS ±1 uA VIH1 Input High Voltage(VDD=5V) Ports 5,6 2.0 V VIL1 Input Low Voltage(VDD=5V) Ports 5,6 0.8 V VIHT1 Input High Threshold Voltage (VDD=5V) /RESET,TCC 2.0 V VILT1 Input Low Threshold Voltage (VDD=5V) /RESET,TCC 0.8 V VIHX1 Clock Input High Voltage(VDD=5V) OSCI 3.5 V VILX1 Clock Input Low Voltage(VDD=5V) OSCI 1.5 V VIH2 Input High Voltage(VDD=3V) Ports 5,6 1.5 V VIL2 Input Low Voltage(VDD=3V) Ports 5,6 0.4 V VIHT2 Input High Threshold Voltage (VDD=3V) /RESET,TCC 1.5 V VILT2 Input Low Threshold Voltage (VDD=3V) /RESET,TCC 0.4 V VIHX2 Clock Input High OSCI 2.1 V
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 28 页 共 29 页 Voltage(VDD=3V) VILX2 Clock Input Low Voltage(VDD=3V) OSCI 0.9 V VOH1 Output High Voltage(Ports 5,6) IOH=-12.0mA 2.4 V VOL1 Output Low Voltage(P60~P61) IOL=12.0mA 0.4 V VOL2 Output Low Voltage(Ports P62~P67) IOL=10.5mA 0.4 V IPH Pull-high current Pull-high active, input pin at VSS -50 -70 -240 uA IPD Pull-down current Pull-down active, input pin at VDD 25 50 120 uA ISB1 Power down current All input and I/O pins at VDD, output pin floating, WDT disabled 1 uA ISB2 Power down current All input and I/O pins at VDD, output pin floating, WDT enabled 10 uA ICC1 Operating supply current(VDD=3V)at two cycles/four clocks /RESET=’High’,Fosc=32KHz(Crysta l type, CLKS=”0”),output pin floating, WDT disabled 15 15 30 uA ICC2 Operating supply current(VDD=3V)at two cycles/four clocks /RESET=’High’,Fosc=32KHz(Crysta l type, CLKS=”0”),output pin floating, WDT enabled 20 35 uA ICC3 Operating supply current(VDD=5.0V)at two cycles/two clocks /RESET=’High’,Fosc=4KHz(Crystal type, CLKS=”0”),output pin floating, WDT enabled 1.6 mA ICC4 Operating supply current(VDD=5.0V)at two cycles/four clocks /RESET=’High’,Fosc=10KHz(Crysta l type, CLKS=”0”),output pin floating, WDT enabled 4.0 mA 交流（AC）电气特征 (Ta=0oC ~ 70oC,VDD=5.0V± 5%，VSS=0V) Symbol Parameter Condition Min Typ. Max Unit Dclk Input CLK duty cycle 45 50 55 % Tins Instruction cycle time (CLKS=”0”) Crystal type 100 DC ns RC type 500 DC ns Ttcc TCC input period (Tins+20)/N* ns Tdrh Device reset hold time Ta=25 oC 11.8 16.8 21.8 ms Trst /RESET pulse width Ta=25 oC 2000 ns Twdt Watchdog timer period Ta=25 oC 11.8 16.8 21.8 ms Tset Input pin setup time 0 ns Thold Input pin hold time 20 ns Tdelay Output pin delay time Cload=20pF 50 ns
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 78P156N(文件编号：S&CIC0992) 八位单片机 第 29 页 共 29 页 N=所选的预分器的分频比 附录 封装类型： 78P15N DIP 18 300mil 78P156S SOP 18 300mil 七、PAD Assignment Pad No. Pad Name X Y Pad No. Pad Name X Y 1 P52 -126.00 708.80 11 P64 166.65 -709.20 2 P53 -241.10 708.80 12 P65 281.75 -709.20 3 TCC -356.20 708.80 13 P66 396.85 -709.20 4 RESETB -657.60 708.85 14 P67 657.55 -709.15 5 VSS -622.65 584.35 15 VDD 658.00 -584.50 6 VSS -658.20 -578.30 16 VDD 657.60 583.80 7 P60INT -657.80 -709.20 17 OSCO 657.60 708.75 8 P61 -178.65 -709.20 18 OSCI 219.40 708.80 9 P62 -62.65 -709.20 19 P50 104.20 708.80 10 P63 51.55 -709.20 20 P51 -10.90 708.80