74VHC00

MC74VHC00 ONSEMI | Alldatasheet

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
• PDF pages: 6

Technical content

Features

• High Speed: tPD = 3.7 ns (Typ) at VCC = 5 V
• Low Power Dissipation: ICC = 2 /C0109A (Max) at TA = 25°C
• High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC
• Power Down Protection Provided on Inputs
• Balanced Propagation Delays
• Designed for 2 V to 5.5 V Operating Range
• Low Noise: VOLP = 0.8 V (Max)
• Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
• Latchup Performance Exceeds 300 mA
• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V
• Chip Complexity: 32 FETs or 8 Equivalent Gates
• Pb−Free Packages are Available

Figure 1. Pinout: 14−Lead Packages dimensions section on page 4 of this data sheet.

ORDERING INFORMATION

Figure 2. Logic Diagram damage may occur and reliability may be affected.

1. Tested to EIA/JESD22−A114−A
2. Tested to EIA/JESD22−A115−A

http://onsemi.com ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Parameter ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Test Conditions ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ VCC V ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ TA = 25°C ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ TA = −40 to 85°C ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ TA = −55 to +125°C ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ Unit ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Typ ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎ ÎÎ Max ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VIH ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ High−Level Input Voltage ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 to 5.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 1.50 VCC x 0.7 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.50 VCC x 0.7 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.50 VCC x 0.7 ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VIL ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Low−Level Input Voltage ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 to 5.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.50 VCC x 0.3 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.50 VCC x 0.3 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ 0.50 VCC x 0.3 ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VOH ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ High−Level Output Voltage ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOH = − 50 /C0109A ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 1.9 2.9 4.4 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.9 2.9 4.4 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.9 2.9 4.4 ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOH = − 4 mA IOH = − 8 mA ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 3.0 4.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 2.58 3.94 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 2.48 3.80 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 2.40 3.70 ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VOL ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Low−Level Output Voltage ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOL = 50 /C0109A ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.0 0.0 0.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOL = 4 mA IOL = 8 mA ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 3.0 4.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.36 0.36 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.44 0.44 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ 0.55 0.55 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Iin ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Input Leakage Current ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = 5.5 V or GND ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 0 to 5.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ /C00360.1 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ /C00361.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ /C00362.0 ÎÎ ÎÎ ÎÎ /C0109A ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ICC ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Quiescent Supply Current ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VCC or GND ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 5.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 2.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ /C0109A ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns) ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Parameter ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Test Conditions ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ TA = 25°C ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ TA = −40 to 85°C ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ TA = −55 to +125°C ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ Unit ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Typ ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎ ÎÎ Max ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ tPLH, tPHL ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Propagation Delay, A or B to Y ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC = 3.3 ± 0.3 V C L = 15 pF CL = 50 pF ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 5.5 8.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 7.9 11.4 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 9.5 13.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎ Î Î ÎÎ 14.5 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ns ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC = 5.0 ± 0.5 V C L = 15 pF CL = 50 pF ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 3.7 5.2 ÎÎÎ ÎÎÎ 5.5 7.5 ÎÎÎ ÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ 6.5 8.5 ÎÎÎ ÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎ ÎÎ 7.0 9.5 ÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Cin ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Input Capacitance ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 4.0 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ pF CPD Power Dissipation Capacitance (Note 5) Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V pF19 5. C PD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. Average operating current can be obtained by the equation: I CC(OPR) = CPD /C0015 VCC /C0015 fin + ICC /4 (per gate). C PD is used to determine the no−load dynamic power consumption; P D = CPD /C0015 VCC2 /C0015 fin + ICC /C0015 VCC. NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns, CL = 50 pF, VCC = 5.0 V, Measured in SOIC Package) Symbol Characteristic TA = 25°C UnitTyp Max VOLP Quiet Output Maximum Dynamic VOL 0.3 0.8 V VOLV Quiet Output Minimum Dynamic VOL − 0.3 − 0.8 V VIHD Minimum High Level Dynamic Input Voltage 3.5 V VILD Maximum Low Level Dynamic Input Voltage 1.5 V

http://onsemi.com Figure 3. Switching Waveforms Figure 4. Test Circuit Figure 5. Input Equivalent Circuit Device Package Shipping† MC74VHC00DR2 SOIC−14 2500 / Tape & Reel MC74VHC00DR2G SOIC−14 (Pb−Free) 2500 / Tape & Reel MC74VHC00DT TSSOP−14* 96 Units / Rail MC74VHC00DTG TSSOP−14* (Pb−Free)

96 Units / Rail

MC74VHC00DTR2 TSSOP−14* 2500 / Tape & Reel MC74VHC00DTR2G TSSOP−14* (Pb−Free) 2500 / Tape & Reel MC74VHC00MEL SOEIAJ−14 2000 / Tape & Reel MC74VHC00MELG SOEIAJ−14 (Pb−Free) 2000 / Tape & Reel †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. *This package is inherently Pb−Free.

http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE. 5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. −A− −B− G P 7 PL 14 8 M0.25 (0.010) B M SBM0.25 (0.010) A ST −T− FR X 45 SEATING PLANE D 14 PL K C JM /C0095 DIM MIN MAX MIN MAX INCHESMILLIMETERS A 8.55 8.75 0.337 0.344 B 3.80 4.00 0.150 0.157 C 1.35 1.75 0.054 0.068 D 0.35 0.49 0.014 0.019 F 0.40 1.25 0.016 0.049 G 1.27 BSC 0.050 BSC J 0.19 0.25 0.008 0.009 K 0.10 0.25 0.004 0.009 M 0 7 0 7 P 5.80 6.20 0.228 0.244 R 0.25 0.50 0.010 0.019 /C0095/C0095/C0095/C0095 SOIC−14 CASE 751A−03 ISSUE G TSSOP−14 DT SUFFIX CASE 948G−01 ISSUE A DIM MIN MAX MIN MAX INCHESMILLIMETERS A 4.90 5.10 0.193 0.200 B 4.30 4.50 0.169 0.177 D 0.05 0.15 0.002 0.006 F 0.50 0.75 0.020 0.030 G 0.65 BSC 0.026 BSC H 0.50 0.60 0.020 0.024 J 0.09 0.20 0.004 0.008 J1 0.09 0.16 0.004 0.006 K 0.19 0.30 0.007 0.012 K1 0.19 0.25 0.007 0.010 L 6.40 BSC 0.252 BSC M 0 8 0 8 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE. 5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED AT DATUM PLANE −W−. /C0095/C0095/C0095/C0095 SU0.15 (0.006) T 2X L/2 SUM0.10 (0.004) V ST L −U− SEATING PLANE 0.10 (0.004) −T− ÇÇÇ ÇÇÇ SECTION N−N DETAIL E J J1 K ÉÉÉ ÉÉÉ DETAIL E F M −W− 0.25 (0.010) 814 PIN 1 IDENT. HG A D C B SU0.15 (0.006) T −V− 14X REFK N N

http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS HE DIM MIN MAX MIN MAX INCHES MILLIMETERS 0.05 0.20 0.002 0.008 0.35 0.50 0.014 0.020 0.18 0.27 0.007 0.011 9.90 10.50 0.390 0.413 5.10 5.45 0.201 0.215 1.27 BSC 0.050 BSC 7.40 8.20 0.291 0.323 0.50 0.85 0.020 0.033 1.10 1.50 0.043 0.059 0.70 0.90 0.028 0.035 A HE LE /C009510 /C00950 /C009510 /C0095 LE /C0095 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD TO BE 0.46 ( 0.018). D Z E 14 8 e A b VIEW P c L DETAIL P M A b c D E e 0.50 M Z SO−14 M SUFFIX CASE 965−01 ISSUE O ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, direct ly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 MC74VHC00/D LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com ON Semiconductor Website: http://onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder For additional information, please contact your local Sales Representative.