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深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 7268 (文件编号：S&CIC1228) N 沟道场效应功率管 w w w . s u p e r c h i p . c n 第 1 页 共 2 页 Version 1.0 VDS= 30V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 7.5mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 4.5mΩ@TYP 7268 XXXXXXXX G D S DRAIN SOURCE GATE TO-252 N-Channel MOSFET 产品应用 用于航模螺旋桨驱动 其它需大电流驱动的产品 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 漏源击穿电压 V(BR)DSS V GS=0V, IDS=250uA 30 33.5 -- V 漏极持续电流 ID(Device Ref.) TJ=25℃ -- -- 80 A 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS V GS=±20V -- -- ±100 nA 栅极阈值电压 V GS（TH） VDS=VGS, ID=250uA 1 1.5 2.5 V 漏源内阻 R DS（ON） VGS=10V, ID=20A -- 4.5 6.5 mΩ
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 7268 (文件编号：S&CIC1228) N 沟道场效应功率管 w w w . s u p e r c h i p . c n 第 2 页 共 2 页 Version 1.0 开关测试电路 VDD RD D VOUT DUT S G VIN RGVGEN 封装信息 (TO-252) 符号 单位：毫米 单位：英寸 符号 单位：毫米 单位：英寸 最小 最大 最小 最大 最小 最大 最小 最大 D1 5.200 5.400 0.205 0.213