4407A FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 4407A(文件编号：S&CIC0802) 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 Version1.1 May2019 VDS=-30V RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-7A=12mΩ@TYP RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-5A=17mΩ@TYP 特点 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 改良的成型工艺 封装图：SOP-8 内部结构示意图 P-Channel MOSFET 最大额定值和热特性 (TA=25℃，除非另有说明。) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS -30 V 栅源电压 VGS ±20 漏极电流 ID -8 A 漏极脉冲电流 IDM -30 工作结温和存储温度范围 TJ,Tstg -55to 150 ℃ 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Number RevisionSize B Date: 16-Oct-2009 Sheet of File: E:\\规格书\\规格图\\规格图-0\\ZBO\\4953.ddb Drawn By : Source Drain Gate Internal Schemaic Diagram P-Channel MOSFET
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 4407A(文件编号：S&CIC0802) 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version1.1 May2019 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS =0V,ID =-250uA -30.0 -- -- V 漏源电阻 RDS(on) mΩ RDS(on) 栅极阈值电压 VGS(th) VDS =VGS,ID =-250uA -1.0 -- -2.5 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS =-30V,VGS =0V -- -- -990 nA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS =±25V,IDS=0V -- -- ±100 nA 栅极电阻 RG VGS =0V,VDS =0V, Frequency=1MHZ -- 5.6 -- Ω 二极管正向电压 VSD IS =-6A,VGS =0V -- -- -0.99 V EAS VG=-10V, Vd=-30V L=0.5mH,Rg=25ohm, ID=-23A PASS g(fs) VDS =-5V,ID=-6A 10.0 -- -- S 注 1 PulseTest:Pulsewidth≤300μs,Dutycycle≤2%
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 4407A(文件编号：S&CIC0802) 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 3 页 共 3 页 Version1.1 May2019 封装信息 SOP-8 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A - 1.50 1.55 A1 - 0.10 0.15 A2 1.35 1.40 1.45 A3 0.55 0.60 0.65 b 0.35 0.40 0.45 c 0.17 0.22 0.25 D 4.85 4.90 4.95 E 5.90 6.00 6.10 E1 3.80 3.90 4.00 e 1.27BSC L 0.60 0.65 0.70 L1 1.05BSC θ 0º 4 º 6 º