3401 FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 3401 文件编号 S&CIC0800) P 沟道增强型 MOS 场效应管 第 页 共 页 R DS(ON) V gs @-4.5V, I ds @-1.0A 48m Ω @TYP R DS(ON) V gs @-2.5V, I ds @-0.5A 75m Ω @TYP 特点 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT-23 内部结构示意图 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 16-Jul-20 14 Sheet o f File: C:\\Do cuments an d Set tings\\Ad minis trator\\ 桌面 \\MyDesig n.ddb Drawn B y: G S D A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 16-Jul-20 14 Sheet o f File: E:\\E 盘 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\340 1.ddb Drawn B y: Gate Drain Source Top View P-Channel MOSFET 最大额定值和热特性 A =25 ，除非另有说明 参数 符号 值 单位 漏源电压 V DS -18 V 连续漏极电流 I D -3.5 A 脉冲漏极电流 I DM -20 最大功率耗散 TA=25 P D 1.4 W TA=75 结温和存储温度范围 T J T stg -55 150 结温至环境热阻（ PCB 焊接） R θ JA 140 注：重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 3401 文件编号 S&CIC0800) P 沟道增强型 MOS 场效应管 第 页 共 页 电气特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态 漏源导通电阻 R DS (on) V GS -4.5V, I D -1.0A 48.0 65.0 m Ω R DS (on) V GS -2.5V, I D -0.5A 75.0 100.0 栅极阈值电压 V GS (th) V DS V GS I D -250uA -0.5 -0.95 -1.3 V 栅源短路时漏极电流 I DSS V DS -12V, V GS uA 漏极短路时截止栅电流 I GSS V GS 12V, I DS =0uA 100 nA 动态 总栅极电荷 Q g V DS -15V, I D -4A V GS -4.5V 6.36 8.27 nC 栅源电荷 Qg s 1.79 2.33 栅漏电荷 Q gd 1.42 1.85 开启延迟时间 t d(on) V DD -15V, R L 3.6 Ω I D -1A, V GEN -10V R G Ω 11.36 22.72 ns 开启上升时间 t r 2.32 4.64 关断延迟时间 t d(off) 34.88 69.76 关断下降时间 t f 3.52 7.04 输入电容 C iss V DS -15V, V GS f=1.0MHz 826.18 pF 输出电容 C oss 90.74 反向传输电容 C rss 53.18 漏源二极管 最大二极管的正向电流 I S -2.2 A 二极管的正向电压 V SD I S -1.0A, V GS V 注：脉冲测试：脉冲宽度 300us ，占空比 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 7-J an-20 10 Sheet o f File: E:\\ 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\230 2.ddb Drawn B y : VGEN RG G VIN VOUT RD D S DUT VDD Switching Test Circuit 10% 10% 10% 50% 50% 90% 90% 90% t t t t t t on off r f d(off) d(on) Output. Vout Input. VIN PULSE WIDTH INVER TED Switching Waveforms