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Technical content
Features
High temperature operation Low reverse current Common cathode Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hochtemperaturbetrieb Niedriger Sperrstrom Gemeinsame Kathode Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons Weight approx. 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 30CTQ035 35 35 30CTQ040 40 40 30CTQ045 45 45 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 155°C 3) IFAV
15 A 4)
30 A 5)
Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 155°C 3) IFRM 53 A 4) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
265 A 4)
290 A 4)
Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 80 A2s 4) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj Tj -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
4 Per diode − Pro Diode
5 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 321 Type Typ 2.54±0.1 0.8 ±0.2 1.3±0.1 10.1±0.3 3.9 ±0.3 2.8 ±0.3 13.9 ±0.3 14.9 ±0.7 Ø ±0.2 3.8 1.2 ±0.2 0.42 ±0.1 4.5±0.2 2.67±0.2 8.7 ±0.3
30CTQ035 ... 30CTQ045 Characteristics 1) Kennwerte 1) Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj typ. 0.50 15 25°C 125°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR < 50 µA 1) typ. 15 mA 1) Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 900 pF 1) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 3.25 K/W 1,2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Per diode − Pro Diode
2 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 0 VF 0.4 0.8 [V] 1.4 30CTQ0xx [A] T = 125°Cj T = 25°Cj T = 175°Cj 10-1 [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 75°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj T = 150°Cj T = 50°Cj T = 175°Cj