2302 FUMAN | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302 文件编号 S&CIC0799) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 第 页 共 页 V DS 20V R DS(ON) V gs @2.5V, I ds @2.0A m Ω @TYP R DS(ON) V gs @4.5V, I ds 2.8 A m Ω @TYP 特点 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT-23 内部结构示意图 最大额定值和热特性 A =25 ，除非另有说明 参数 符号 值 单位 漏源电压 V DS V 栅源电压 V GS 漏极电流 I D 2.3 A 漏极脉冲电流 I DM 最大功耗 TA=25 P D 1.25 W TA=75 0.8 工作结温和存储温度范围 T J T stg -55 to 150 结环热阻（ PCB 安装） R θ JA 140 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 7-J an-20 10 Sheet o f File: E:\\ 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\230 2.ddb Drawn B y : G S D Gate Drain Source
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302 文件编号 S&CIC0799) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 第 页 共 页 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BV DSS V GS 0V, I D 250uA V 漏源电阻 R DS (on) V GS 4.5V, I D 2.8A 40.0 60.0 m Ω V GS 2.5V, I D 2.0A 50.0 115.0 V GS 1.8V, I D 2.0A 80.0 130.0 栅极阈值电压 V GS (th) V DS V GS I D 250uA 0.6 1.2 V 栅源短路时，漏极电流 I DSS V DS 20V, V GS uA 漏极短路时截止栅电流 I GSS V GS 8V, I DS =0uA 100 nA 动态 总栅极电荷 Q g V DS 10V, I D 3.6A V GS 4.5V 4.5 5.85 nC 栅源电荷 Qg s 0.83 1.08 栅漏电荷 Q gd 1.18 1.53 延迟时间（ On t d(on) V DD 15V, R L 5.5 Ω I D 1A, V GEN 4.5V R G Ω 11.24 22.48 ns 上升时间（ On t r 3.48 6.96 延迟时间（ Off t d(off) 19.64 39.28 下降时间（ Off t f 4.4 8.8 输入电容 C iss V DS 10V, V GS f=1.0MHz 456.41 pF 输出电容 C oss 86.81 反向传输电容 C rss 58.89 漏源二极管 二极管最大正向电流 I S 1.6 A 二极管正向电压 V SD I S 1.6A, V GS 1.2 V 注：脉冲测试：脉冲宽度 300us ，占空比 A B C D D C B A Titl e Nu mber Rev ision Size B Date: 7-J an-20 10 Sheet o f File: E:\\ 规格 书 规格 图 规格 图 -0\\ZB O\\230 2.ddb Drawn B y : VGEN RG G VIN VOUT RD D S DUT VDD Switching Test Circuit 10% 10% 10% 50% 50% 90% 90% 90% t t t t t t on off r f d(off) d(on) Output. Vout Input. VIN PULSE WIDTH INVER TED Switching Waveforms