2301 FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 2301（文件编号：S&CIC1596） 10VP沟道增强型 MOS场效应管 www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 Version1.0 VDS=-10V RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.0A=100mΩ@TYP RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-0.5A=125mΩ@TYP 一、特点 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT-23 内部结构示意图 二、最大额定值和热特性(TA=25℃，除非另有说明) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS -10 V栅源电压 VGS ±10 漏极电流 ID -2.2 A漏极脉冲电流 IDM -5 最大功耗 TA=25℃ PD 1.25 W TA=75℃ 0.8 工作结温和存储温度范围 TJ,Tstg -55 to150 ℃ 结环热阻（PCB安装） RθJA 140 W/℃
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 2301（文件编号：S&CIC1596） 10VP沟道增强型 MOS场效应管 www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version1.0 三、电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BVDSS VGS =0V,ID =-250uA -8 -10 -- V 漏源电阻 RDS(on) VGS =-4.5V,ID =-1A -- 100 120 mΩ RDS(on) VGS =-2.5V,ID =-0.5A -- 125 150 mΩ 栅极阈值电压 VGS(th) VDS =VGS,ID =-250uA -0.4 -0.6 -1.0 V 栅源短路时，漏极电流 IDSS VDS =-7V,VGS =0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS =±7V,IDS=0uA -- -- ±100 nA 漏源二极管 二极管最大正向电流 IS -- -- -- 1.4 A 二极管正向电压 VSD IS =-1.6A,VGS =0V -- -- -1.3 V
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. 2301（文件编号：S&CIC1596） 10VP沟道增强型 MOS场效应管 www.superchip.cn 第 3 页 共 3 页 Version1.0 四、封装信息 SOT-23 符号 毫米 英寸 最小 最大 最小 最大 A 0.900 1.150 0.035 0.045 A1 0.000 0.100 0.000 0.004 A2 0.900 1.050 0.035 0.041 b 0.300 0.500 0.012 0.020 c 0.080 0.150 0.003 0.006 D 2.800 3.000 0.110 0.118 E 1.200 1.400 0.047 0.055 E1 2.250 2.550 0.089 0.100 e 0.950TYP. 0.037TYP. e1 1.800 2.000 0.071 0.079 L 0.550REF. 0.022REF. L1 0.300 0.500 0.012 0.020 θ 0° 8° 0° 8°