20SQ040_15 DIOTEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
20SQ040,20SQ045 20SQ040 , 20SQ045 Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2015-06-16 Dimensions - Maße [mm] Nominal current – Nennstrom 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40 , 45 V Plastic case – Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Features Vorteile Best trade-off between VF and IR 1) 1000 pcs/13” reel for longer reel change intervals Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 1) 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 20 A 20SQ040 40 typ. 0.25 < 0.43 < 0.55 20SQ045 45 typ 0.25 < 0.43 < 0.55 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 20 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 310/350 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 480 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 1) 3) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55...+150°C
1 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
Erfüllt die Anforderungen der IEC 61215 Bypass-Diodentest © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 7,5±0.1 62.5 ±0.5
20SQ040 , 20SQ045 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 500 µA typ. 25 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 12 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte RthL < 2.5 K/W 2)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj T = 125°Cj [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 150°Cj T = 125°Cj T = 75°Cj