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Technical content
Features
Best trade-off between VF and IR 2) Much smaller package outline than industry standard Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Optimale Auswahl von VF und IR 2) Gehäusegröße sehr viel kleiner als Industriestandard Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack On request: on 13” reel 500 1000 Gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage: auf 13” Rolle Weight approx. 1.7 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 3) Grenzwerte 3) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20SQ045-3G 45 45 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TA = 50°C IFAV 20 A 4) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 310 A 350 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 480 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2,5) Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
5 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Halogen FREE Type Ø 1.2±0.05 Ø 5.4±0.1 62.5 ±0.5 7.5±0.1
VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj 20SQ045-3G < 0.43 typ. 0.25 5 25°C 125°C < 0.55 20 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 200 µA typ. 3 mA Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 510 pF Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 12 K/W 1) Thermal resistance junction to lead – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2.5 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj T = 125°Cj [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj T = 75°Cj T = 50°Cj T = 150°Cj 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500