20N65A YFWDIODE | Alldatasheet

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1 / 6 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 20A 650V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 20A VDSS 650V RDSON-typ(@VGS=10V) 0.35Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量 100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s 封装形式: TO-220F, TO-247, TO-247S G.栅极 D.漏极S.源极 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 YFW20N65A8 TO-220F(1.3mm) 20N65AF 50PCS每管 YFW20N65A6 TO-247 20N65AP 30PCS每管 YFW20N65A7 TO-247S 20N65APS 30PCS每盘

2 / 6 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 符号 参数范围 单位 220F 247/247S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续 ID 20 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM 80 A 耗散功率 PD 85 250 W 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 550 mJ 工作结温范围 TJ 150 °C 贮存温度范围 TSTG -55 to +150 °C 芯片对管壳热阻 RθJC 1.47 0.5 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 100 40 °C/W 电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 VGS = 0 V,ID = 250 μA BVDSS 650 660 - V 漏源击穿电流 VDS = 650V, VGS = 0 V IDSS - - 1 UA 栅源漏电流 VGS = ± 30 V, VDS = 0 V IGSS - - ±100 nA 栅极开启电压 VDS = VGS , ID = 250 μA VGS(th) 2 - 4 V 导通电阻 VGS = 10 V, ID = 10 A RDS(on) - 0.35 0.5 Ω 正向跨导 VDS = 15 V, ID = 10 A gfs - 18 - S 输入电容 VGS = 0 V, VDS = 2 V, f = 200KHz Ciss - 3801 - pF 输出电容 Coss - 290 - 反向传输电容 Crss - 20 - 开启延迟时间(注2) ID = 20A, VDD = 250V, RG= 10Ω td(ON) - 39 - nS 开启上升时间(注2) tr - 80 - 关断延迟时间(注2) td(OFF) - 94 - 关断下降时间(注2) tf - 63 - 栅极电荷量(注2) ID = 20A, VDD = 400 V, VGS = 10 V QG - 65 - nC 栅极-源极电荷量(注2) QGS - 14 - 棚极-漏极电荷量(注2) QGD - 24 -

3 / 6 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 MOS管中源极、漏极构成的 反偏P-N结 IS - - 20 A 源极脉冲电流(注2) ISM - - 80 A 源-漏二极管压降 ISD = 20 A, VSD - - 1.4 V 反向恢复时间(注2) ISD = 20 A, VGS = 0 V, dIF / dt = 100 A/μs, trr - 630 - nS 反向恢复电荷(注2) Qrr - 7.4 - uC （注:） 1. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%; 2. 基本上不受工作温度的影响。

4 / 6 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 典型特性区线图

5 / 6 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 封装外型尺寸图

6 / 6 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 封装外型尺寸图