2060K SUPERCHIP | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By alldatasheet.com(free datasheet download site)
  • PDF pages: 6

Technical content

Features

  • VDS=20V；ID=60A； RDS(ON)<6.0mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)<8.2mΩ@VGS=2.5V
  • HighPower andcurrenthanding capability
  • Leadfreeproductisacquired
  • SurfaceMountPackage TO-252(DPAK) TopView SchematicDiagram Application
  • BatteryProtection
  • Loadswitch
  • Powermanagement 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! MarkingandpinAssignment PackageMarkingandOrderingInformation DeviceMarking Device DevicePackage Reel Size Tape width Quantity 2060K. 2060K. TO-252 325mm 16mm 2500 Table1. AbsoluteMaximumRatings(TA=25℃) Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-SourceVoltage(VGS=0V） 20 V VGS Gate-SourceVoltage(VDS=0V) ±12 V ID DrainCurrent-Continuous(Tc=25℃)(Note1) 60 A Drain Current-Continuous(Tc=100℃) 45 A IDM(pluse) DrainCurrent-Continuous@Current-Pulsed(Note 2) 220 A PD MaximumPower Dissipation(Tc=25℃) 64 W MaximumPowerDissipation(Tc=100℃) 39 W EAS Avalancheenergy(Note3) 256 mJ TJ,TSTG OperatingJunctionandStorageTemperatureRange -55To155 ℃ Table2. ThermalCharacteristic Symbol Parameter Typ Max Unit RJC Thermal Resistance,Junction-to-Case - 1.85 ℃/W 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取；立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。

Version1.0www.superchip.cn 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2060K.（文件编号：S&CIC1874） N-ChannelTrenchPowerMOSFET 第 2页 共 6页 Table3. ElectricalCharacteristics(TA=25℃unlessotherwisenoted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/OffStates BVDSS Drain-SourceBreakdownVoltage VGS=0VID=250μA 20 V IDSS ZeroGateVoltageDrainCurrent VDS=20V,VGS=0V 1 μA IGSS Gate-BodyLeakageCurrent VGS=±12V,VDS=0V ±100 nA VGS(th) GateThresholdVoltage VDS=VGS,ID=250μA 0.45 0.7 1.0 V gFS ForwardTransconductance VDS=5V,ID=15A 35 S RDS(ON) Drain-SourceOn-StateResistance VGS=4.5V,ID=20A(Tc=25℃) 4.2 6.0 mΩ VGS=4.5V,ID=20A(Tc=125℃) 6.0 10 mΩ VGS=2.5V,ID=15A 5.2 8.2 mΩ DynamicCharacteristics Ciss InputCapacitance VDS=15V,VGS=0V, f=1.0MHz 2850 pF Coss OutputCapacitance 365 pF Crss ReverseTransferCapacitance 285 pF Rg Gateresistance VGS=0V,VDS=0V,f=1.0MHz 1.2 Ω SwitchingTimes td(on) Turn-onDelayTime VGS=4.5V,VDS=15V, RL=0.75,RGEN=3 18 nS tr Turn-onRiseTime 52 nS td(off) Turn-OffDelay Time 76 nS tf Turn-OffFall Time 26 nS Qg TotalGate Charge VGS=4.5V,VDS=10V,ID=12A 34 nC Qgs Gate-SourceCharge 4 nC Qgd Gate-DrainCharge 13 nC Source-DrainDiodeCharacteristics ISD Source-DrainCurrent(Body Diode) 60 A VSD ForwardonVoltage VGS=0V,IS=20A 1.2 V trr BodyDiodeReverseRecoveryTime IF=20A,dI/dt=100A/s 24 ns Qrr BodyDiodeReverseRecoveryCharge IF=20A,dI/dt=100A/s 11 nC Notes1.Themaximum currentratingispackagelimited. Notes2.RepetitiveRating:Pulsewidthlimitedbymaximum junctiontemperature Notes3.EAScondition:TJ=25℃,VDD=30V,VG=4.5V,RG=25Ω, 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取；立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。

Version1.0www.superchip.cn 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2060K.（文件编号：S&CIC1874） N-ChannelTrenchPowerMOSFET 第 3页 共 6页 TestCircuit EAS TestCircuits: GateCharge TestCircuit: SwitchTimeTest Circuit： 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取；立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。

Version1.0www.superchip.cn 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2060K.（文件编号：S&CIC1874） N-ChannelTrenchPowerMOSFET 第 4页 共 6页 TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS(Curves) Figure1.OutputCharacteristics Figure2.Transfer Characteristics VDSDrain-to-Source Voltage(V) VGSGate-to-Source Voltage(V) Figure3.MaxBVDSSvsJunction Temperature Figure4.DrainCurrent TJ-JunctionTemperature(℃) TJ-Junction Temperature(℃) Figure5.VGS(th)vsJunction Temperature Figure6.RDS(ON) vsJunctionTemperature TJ-JunctionTemperature(℃) TJ-JunctionTemperature(℃) Id(A) Id(A) NormalizedBVDSS Id(A) NormalizedVth NormalizedRdson 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取；立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。

Version1.0www.superchip.cn 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2060K.（文件编号：S&CIC1874） N-ChannelTrenchPowerMOSFET 第 5页 共 6页 Figure7.GateChargeWaveforms Figure8.Capacitance Qg(nC) VDSDrain-to-Source Voltage(V) Figure9.Body-DiodeCharacteristics Figure10.Maximum SafeOperatingArea Vsd (V) VDSDrain-to-Source Voltage(V) Figure11.NormalizedMaximum TransientThermalImpedance Is(A) Id(A) Vgs(V) CCapacitance(pF) 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取；立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。

Version1.0www.superchip.cn 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2060K.（文件编号：S&CIC1874） N-ChannelTrenchPowerMOSFET 第 6页 共 6页 TO-252PackageInformation 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取；立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。