200GB60DLC

BSM200GB60DLC EUPEC | Alldatasheet

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,17 K/W - - 0,29 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK - 0,02 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties 5N m -15 +15 % Schraube M6 screw M6 M1 g180G Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. RthJC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Gewicht weight Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque CTI comperative tracking index Kriechstrecke creepage insulation Luftstrecke clearance mm 8,5 mm 275 Al2O3 3 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC IC [A] VCE [V] IC [A] VCE [V] 100 150 200 250 300 350 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Ausgangskennlinie (typisch) IC= f (VCE) Output characteristic (typical) VGE= 15V 100 150 200 250 300 350 400 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f (VCE) Output characteristic (typical) Tvj= 125°C 4 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC IC [A] VGE [V] IF [A] VF [V] 100 150 200 250 300 350 400 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Übertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE) Transfer characteristic (typical) VCE= 20V 100 150 200 250 300 350 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f (VF) Forward characteristic of inverse diode (typical) 5 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC E [mJ] IC [A] E [mJ] RG [ΩΩΩΩ ] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 Eon Eoff Erec Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) Switching losses (typical) RG,on= 1,5Ω,Ω,Ω,Ω, ====RG,off= 1,5ΩΩΩΩ , VCC= 300V, Tvj= 125°C 02468 1 0 1 2 1 4 1 6 Eon Eoff Erec Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) Switching losses (typical) IC= 200A , VCC= 300V , Tvj = 125°C 6 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC ZthJC [K / W] t [sec] i 1234 ri [K/kW] : IGBT 7,2 89,1 59,9 13,8 τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626 ri [K/kW] : Diode 102,2 98,0 61,6 28,2 τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115 IC [A] VCE [V] Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, RG,off= 1,5Ω,Ω,Ω,Ω, Tvj= 125°C Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t) Transient thermal impedance 100 150 200 250 300 350 400 450 0 100 200 300 400 500 600 700 IC,Modul IC,Chip 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 Zth:IGBT Zth:Diode 7 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 10 2,8 x 0,5 6 17 23 17 123 8 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08