15SQ045 DIOTEC | Alldatasheet
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2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers 2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2011-05-11 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 15 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 45 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Green Molding Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free1 Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Features Vorteile 45V reverse voltage at low VF Low value RthL for low Tj Best trade-off between VF and IR 2) 1000pcs/13” reel for longer reel change intervals 45V Sperrspannung bei niedrigem VF Niedriger RthL Wert für niedriges Tj Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2) 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 15 A 15SQ045 45 typ. 0.30 < 0.45 < 0.53 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 15 A3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 290/330 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 420 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C
1 From 06/2011 – Ab 06/2011
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø 1.2 ±0.05 Ø 8 ±0.17.5±0.1 62.5 ±0.5
Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 300 µA typ. 15 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 13 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte RthL < 2.5 K/W 2)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 125°Cj [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 150°Cj T = 125°Cj T = 75°Cj