15SMC220_13 DIOTEC | Alldatasheet
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Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2013-12-11 Dimensions - Maße [mm] Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 1500 W Nominal breakdown voltage Nominale Abbruch-Spannung 220...550 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMC ~ DO-214AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.21 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rollen For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 1500 W 1) Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 5 W Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100 A 2) Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung IF = 25 A VF < 3.0 V 2) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 33 K/W 3) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 10 K/W
1 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 0.15 Type Typ 1.2 5.8±0.2 2.2±0.3 2.1±0.2 7.9±0.2 7.2±0.5
Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Breakdown voltage at IT = 1 mA Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) VBR [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A] TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P6SMBJ65 TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P6SMBJ65 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P6SMBJ65 TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P6SMBJ65 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3 120 100 [%] PPP [°C]TA 150100500 IPP Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. ) 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 1 2 3 4[ms] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr 0.1 PPP 0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10msP [kW] Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)