12N65A YFWDIODE | Alldatasheet
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1 / 5 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 12A 650V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 12A VDSS 650V RDSON-typ(@VGS=10V) 0.7Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量 100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s 封装形式: TO-220C, TO-220F G.栅极 D.漏极S.源极 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 YFW12N65A2 TO-220F(0.5mm) 12N65AF 50PCS每管 YFW12N65A8 TO-220F(1.3mm) 12N65AF 50PCS每管 YFW12N65A9 TO-220C 12N65AC 50PCS每管
2 / 5 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 符号 参数范围 单位 220F 220C 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续（TC=25°C） ID A -持续（TC=100°C） 7.4 漏极脉冲电流(注 1) IDM 48 A 耗散功率（TC=25°C）- PD 42 150 W -大于25°C每摄氏度减少 0.5 1.33 W/°C 单脉冲雪崩能量(注 2) EAS 750 mJ 雪崩电流(注 1) IAR 10 A 重复雪崩电压(注 1) EAR 25 mJ 工作结温范围 TJ 150 °C 贮存温度范围 TSTG -55 to +150 °C 芯片对管壳热阻 RθJC 2.98 0.83 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 °C/W 电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 VGS = 0 V,ID = 250 μA BVDSS 650 680 - V 漏源击穿电流 VDS = 650V, VGS = 0 V IDSS - - 1 UA VDS = 520 V, Tc =125°C - - 10 栅源漏电流 VGS = ± 30 V, VDS = 0 V IGSS - - ±100 nA 栅极开启电压 VDS = VGS , ID = 250 μA VGS(th) 2 - 4 V 导通电阻 VGS = 10 V, ID = 6 A RDS(on) - 0.7 0.85 Ω 正向跨导 VDS = 40 V, ID = 6 A gfs - 12 - S 输入电容 VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1MHz Ciss - 2378 - pF 输出电容 Coss - 170 - 反向传输电容 Crss - 7 - 开启延迟时间 ID = 12A, VDD = 325 V, RG= 10Ω (注3,4） td(ON) - 29 - nS 开启上升时间 tr - 27 - 关断延迟时间 td(OFF) - 65 - 关断下降时间 tf - 46 - 栅极电荷量 ID = 12 A, VDD = 520V, VGS = 10 V(注3,4） QG - 50 - nC 栅极-源极电荷量 QGS - 10 - 棚极-漏极电荷量 QGD - 14 -
3 / 5 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 MOS管中源极、漏极构成的 反偏P-N结 IS - - 12 A 源极脉冲电流 ISM - - 48 A 源-漏二极管压降 ISD = 12 A, VSD - - 1.5 V 反向恢复时间 ISD = 12 A, VGS = 0 V, dIF / dt = 100 A/μs, (注 3) trr - 670 - nS 反向恢复电荷 Qrr - 4.4 - uC （注:） 1. L=10mH,IAS=12 A, VDD=50V, RG=25Ω, 开始温度 TJ=25°C 2. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%; 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性区线图
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