SFH409_03 OSRAM

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Technical content

Features

 Very highly efficient GaAs-LED  High reliability  High pulse handling capability  Good spectral match to silicon photodetectors  Same package as SFH 309, SFH 487

Applications

 IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorders, dimmers  Light-reflection switches (max. 500 kHz)  Coin counters  Sensor technology  Discrete optocouplers

Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40… + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3A Verlustleistung Power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ± 20 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm 2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area L × B L × W 0.3× 0.3 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 2.6 mm Kapazität, VR = 0 V Capacitance C o 25 pF

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.5 µs Durchlaßspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs VF VF 1.30 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) V V Sperrstrom, Reverse current, VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φ e 15 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φ e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φ e, IF = 100 mA TC I – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TC V – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TC λ + 0.3 nm/K Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Symbol Werte Values Einheit Unit SFH 409 SFH 409-1 1) 1) Nicht bestellbar als Einzelgruppe. 1) Can not be ordered as single group. SFH 409-2 SFH 409-31) Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Ie Ie typ. ≥ 6.3 6.3… 12.5 >1 0 120 16 … 32 mW/sr mW/sr Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit

Relative Spectral Emission Irel = f (λ) Forward Current IF = f (VF), Single pulse, tp = 20 µs Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ) OHR01938 λ relΙ 880 920 960 1000 nm 1060 100 V OHR01041 F FΙ 110 010 -110 10 -2 A 1.5 2 2.5 33 . 5 4 V 4.5 max.typ. OHR01887 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0ϕ Radiant Intensity Single pulse, tp = 20 µs Permissible Pulse Handling Capability IF = f (τ), TA = 25 °C duty cycle D = parameter Ιe Ιe 100 mA = f (IF) Ι OHR00864 F -110 10 -2 -1 10 010 A 10 1 10 0 mA)(100eΙ eΙ 10 1 τ OHR00865 -510 10 2 ΙF 10 3 10 4 DC 0.2 0.5 0.1 0.005 0.01 0.02 0.05 T ΙF TD = mA -410 -310 -210 -110 010 110 210s D = τ τ Max. Permissible Forward Current IF = f (TA) OHR00883 FΙ 100 120 20 40 60 80 100 120 mA TA R thjA= 450 K/W

Ma ßzeichnung Package Outlines Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 1.8 1.229 6.3 5.9 (3.5) 4.1 3.9 5.2 4.5 2.54 mm spacing ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 0.6 0.4 4.0 3.6 0.6 0.4 Chip position Area not flat GEX06250 0.7 0.4 Cathode Anode (SFH 487, SFH 4301) (SFH 409, SFH 4332)