P6SMB220_14 DIOTEC

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P6SMB220 ... P6SMB550CA P6SMB220 ... P6SMB550CA Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2014-10-13 Dimensions - Maße [mm] Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 600 W Nominal breakdown voltage Nominale Abbruch-Spannung 220...550 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMB ~ DO-214AA Weight approx. – Gewicht ca. 0.1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rollen For bidirectional types, suppressor characteristics apply in both directions; add suffix “C” or “CA”. Für bidirektionale Dioden gelten die Begrenzer-Eigenschaften in beiden Richtungen; es ist das Suffix “C” oder “CA” zu ergänzen. TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P6SMBJ5.0 ... 170CA TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P6SMBJ5.0 ... 170CA Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 600 W 1) Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 5 W Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100 A 2) Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung IF = 25 A VF < 3.0 V 2) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 3) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 15 K/W

1 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)

Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)

2 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden

3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1.1 2.2± 0.2 Type Typ 2.1± 0.1 3.7± 0.3 4.6± 0.5 5.4± 0.5 0.15

P6SMB220 ... P6SMB550CA Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Breakdown voltage at IT = 1 mA Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) bidir. = C / CA VBR [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A] P6SMB220 220 ± 10% 198...242 175 5 344 1.7 P6SMB220A 220 ± 5% 209...231 185 5 328 1.8 P6SMB250 250 ± 10% 225...275 202 5 360 1.7 P6SMB250A 250 ± 5% 237...263 214 5 344 1.7 P6SMB300 300 ± 10% 270...330 243 5 430 1.4 P6SMB300A 300 ± 5% 285...315 256 5 414 1.4 P6SMB350 350 ± 10% 315...385 284 5 504 1.2 P6SMB350A 350 ± 5% 332...368 300 5 482 1.2 P6SMB400 400 ± 10% 360...440 324 5 574 1.0 P6SMB400A 400 ± 5% 380...420 342 5 548 1.1 P6SMB440 440 ± 10% 396...484 356 5 631 1.0 P6SMB440A 440 ± 5% 418...462 376 5 602 1.0 P6SMB480 480 ± 10% 432...528 388 5 686 0.87 P6SMB480A 480 ± 5% 456...504 408 5 658 0.91 P6SMB530 530 ± 10% 477...583 429 5 764 0.79 P6SMB530A 530 ± 5% 503...556 477 5 729 0.82 P6SMB550 550 ± 10% 495...605 445 5 793 0.76 P6SMB550A 550 ± 5% 522...577 495 5 760 0.79 TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P6SMBJ5.0 ... 170CA TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P6SMBJ5.0 ... 170CA 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG

P6SMB220 ... P6SMB550CA 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3 120 100 [%] PPP [°C]TA 150100500 IPP Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. ) 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 1 2 3 4[ms] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr 0.1 PPP 0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10msP [kW] Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) [pF] [V] Cj VBR Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.) unidir. bidir. V = 4 VR