MTZJ10B ETC1

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MTZJ_B Series MTZJ2.0B MTZJ2.2B MTZJ2.4B 2.220 2.410 2.020 2.200 2.430 2.630 120 0.6 100 0.7 120 1.0 100 100 100 MTZJ3.0B MTZJ3.3B MTZJ3.6B 3.320 3.530 3.010 3.220 3.600 3.845 20 1.0 10 1.0 51 . 0 100 100 100 MTZJ2.7B MTZJ4.7B MTZJ4.3B 4.55 4.80 2.690 2.910 4.17 4.43 100 1.0 51 . 5 51 . 0 100 100 MTZJ3.9B 3.89 4.16 5 5 1.0 100 5 mW ℃175Tj 特征 Features

  • 最大功率耗散500mW。 maximum power dissipation of 500 mW
  • 齐纳击穿阻抗低。 low zener impedance 机械数据 Mechanical Data 封装: DO-35 玻璃封装 Case: DO-35 Glass Case 极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end 安装位置: 任意 Mounting Position: Any 极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。 Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. 存储温度 电特性 TA = 25℃ 除非另有规定。 Electrical Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. 单位 Unit
  • 高稳定性和可靠性。 High stability and high reliability 参数 Parameter 符号 Symbols 数值 Value 功率消耗 工作结温 -50 --- +150 Pd Ts ℃ 500
  • 反向漏电流小。 Low reverse leakage 型号 Type 稳压范围 Zener Voltage 测试条件 Test condition 反向特性 Reverese Current 动态电阻 Dynamic Resistance VZ(V) IZ(mA) IR(µA) 测试条件 Test condition VR(V) rd(Ω) 最大值 MAX. 最大值 MAX. IZ(mA) DO-35 Glass Unit：mm CATHODE MARK max. 0.52 3.8 0.2 min. 27.5 min. 27.5 1.8 0.2 测试条件 Test condition Power Dissipation Operating junction temperature Storage temperature range 最小值 MIN. 最大值 MAX. SIYU R 大昌电子 DACHANG ELECTRONICS - 370 -

MTZJ5.1B MTZJ5.6B MTZJ6.2B 5.45 5.73 4.94 5.20 5.96 6.27 51 . 5 52 . 5 53 . 0 MTZJ7.5B MTZJ8.2B MTZJ9.1B 7.78 8.19 7.07 7.45 8.57 9.01 0.5 4.0 0.5 5.0 0.5 5.0 MTZJ6.8B MTZJ12B MTZJ11B 11.44 12.03 6.94 6.83 10.50 11.05 23 . 5 0.2 9.0 0.2 8.0 MTZJ10B 9.41 9.90 5 0.2 7.0 20 5 MTZJ13B MTZJ15B MTZJ16B 13.89 14.62 12.55 13.21 15.25 16.04 0.2 10 0.2 11 0.2 12 MTZJ20B MTZJ22B MTZJ24B 20.64 21.71 18.63 19.59 22.61 23.77 0.2 15 0.2 17 0.2 19 MTZJ18B MTZJ33B MTZJ30B 30.32 31.88 16.82 17.70 27.70 29.13 0.2 13 0.2 25 0.2 23 MTZJ27B 24.97 26.26 5 0.2 21 45 5 MTZJ39B MTZJ36B 35.36 37.19 32.79 34.49 0.2 30 0.2 27 型号 Type 稳压范围 Zener Voltage 测试条件 Test condition 反向特性 Reverese Current 动态电阻 Dynamic Resistance VZ(V) IZ(mA)最小值 MIN. 最大值 MAX. IR(µA) 测试条件 Test condition VR(V) rd(Ω) 最大值 MAX. 最大值 MAX. IZ(mA) 测试条件 Test condition SIYU R MTZJ_B Series - 371 - 大昌电子 DACHANG ELECTRONICS