LMW8726 LEIDITECH
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Technical content
N-channel 30V, 86A, TO-252 Power MOSFET 功率场效应管 ▉Features 特點 Lowon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability低導通電阻和最大直流電流能力 Superhighdensitycelldesign 超高元胞密度設計 RDS(ON)<5.8mΩ@VGS=10V RDS(ON)<6.8mΩ@VGS=4.5V ▉Applications 应用 PowerManagementinNotebook 筆記本電源管理 PortableEquipment便攜式設備 BatteryPoweredSystem 電池電源系統 DC/DCConverter 直流/直流变换 LoadSwitch負載開關應用 ▉Internal Schematic Diagram 内部结构 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic特性參數 Symbol符號 Max最大值 Unit單位 Drain-SourceVoltage漏極-源極 電 壓 BVDSS 30 V Gate-SourceVoltage栅極-源極電壓 VGS + 20 V DrainCurrent(continuous)漏極電流-連續 ID（atTC=25°C） 86 A DrainCurrent(pulsed)漏極電流-脉冲 IDM 140 A TotalDeviceDissipation總耗散功率 PTOT(atTC=25°C) 75 W ThermalResistanceJunction-Ambient熱阻 RΘJA 2.4 ℃/W Junction/StorageTemperature結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ LMW8726 Rev : www.leiditech.com 01.06.2018 1/4
▉Electerical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unlessotherwisenoted如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特 性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-SourceBreakdownVoltage 漏極-源極擊穿 電 壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 30 — — V GateThresholdVoltage 栅極開 启 電 壓(ID =250uA,VGS=VDS) VGS(th) 1.35 1.6 2.35 V ZeroGateVoltageDrainCurrent 零栅壓漏極 電 流(VGS=0V,VDS=24V) IDSS — — 1 uA GateBodyLeakage 栅極漏 電 流(VGS=+ 20V,VDS=0V) IGSS — — + 100 nA StaticDrain-SourceOn-StateResistance 静态漏源導通電阻(ID=40A,VGS=10V) (ID=20A,VGS=4.5V) RDS(ON) — — 5.8 6.8 mΩ SourceDrainCurrent 源 極 極 電 流 ISD — — 20 A DiodeForwardVoltageDrop 内附二極 管 正 向 壓降(ISD=20A,VGS=0V) VSD — — 1.2 V InputCapacitance輸入電容 (VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz) CISS — — 1335 pF CommonSourceOutputCapacitance 共源輸出 電 容 (VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz) COSS — — 210 pF ReverseTransferCapacitance 回饋 電 容 (VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz) CRSS — — 140 pF GateSourceCharge栅源電荷密度 (VDS=15V,ID=15A,VGS=10V) Qgs — 5 — nC GateDrainCharge栅漏電荷密度 (VDS=15V,ID=15A,VGS=10V) Qgd — 10 — nC Turn-OnDelayTime開启延迟時間 (VDS=15V,ID=15A,RGEN=3.3Ω,VGS=10V) td(on) — 11 — ns Turn-OnRiseTime開启上升時間 (VDS=15V,ID=15A,RGEN=3.3Ω,VGS=10V) tr — 30 — ns Turn-OffDelayTime關断延迟時間 (VDS=15V,ID=15A,RGEN=3.3Ω,VGS=10V) td(off) — 24 — ns Turn-OnFallTime開启下降時間 (VDS=15V,ID=15A,RGEN=3.3Ω,VGS=10V) tf — 6 — ns LMW8726 Rev : www.leiditech.com 01.06.2018 2/4
T Y P I C A L C H A R A C T E R I S T I C C U R V E 典 型 特 性 曲 线 Fig1:OutputCharacteristics Figure2:TransferCharacteristics Figure3:On-Resistancevs.ID&VGS Figure4:Capacitancevs.Gate-SourceVoltage Figure5:Gate-ChargeCharacteristics Figure6:Safe Operating Area LMW8726 Rev : www.leiditech.com 01.06.2018 3/4
■DIMENSION 外形封裝尺寸 Unit 单位:mm 毫米 LMW8726 Shanghai Leiditech Electronic Co.,Ltd Email: sale1@leiditech.com Tel : +86- 021 50828806 Fax : +86- 021 50477059 Rev : www.leiditech.com 01.06.2018 4/4