J2081535_H5N2509P HITACHI
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ߡߟߦ ߪߦ ߹ࠅ߅ߡߞ ℂߏߢߩߔ߹ࠅ߅ߡࠇߐ ߟߦ ޕࠎߖ߹ࠅߪߢ 㧔JVVR YYYTGPGUCUEQO㧕 ᐕᣣ ㇱ ቴ᭽ฦ
ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があり ます。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害などを 生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご 留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は、お客様が用途に応じた適切なルネサス テクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であ り、本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実施、 使用を許諾するものではありません。 2. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、 アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害、 第三者所有の権利に対する侵害に関し、ルネサス テクノロジは責任を負いません。 3. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のも のであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更することがあ ります。ルネサス テクノロジ半導体製品のご購入に当たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネ サス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ (http://www.renesas.com)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。 4. 本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する 損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、 技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で十分に評価し、お客様 の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いま せん。 6. 本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いら れることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸、移動体用、医 療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討 の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。 7. 本資料の転載、複製については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。 8. 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、 ルネサス販売または特約店までご照会ください。
γϦίϯ N νϟωϧ MOSFET ిྗεΠονϯά ADJ-208-1535B (Z) ୈ 3 ൛ 2002.06
- ɿR DS(on) = 0.053 Ω typ.
- υϨΠϯःஅిྲྀ͕͍ɿIDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V)
- εΠονϯά͕͍ɿtf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω , VGS = 10 V)
- ೖྗμΠφϛοΫ༰ྔ(Qg)͕͍ɿQg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)
- ΞόϥϯγΣอূ ਤ TO–3P 2 3 D S G 1. ࠻ࠥ 2. ࡦࠗ࠼ ( ࠫࡦࡈ) 3. ࠬ࠰
Ta = 25°C) ୯Ґ υϨΠϯ · ιʔεిѹ VDSS 250 V ήʔτ · ιʔεిѹ VGSS ±30 V υϨΠϯిྲྀ ID 30 A ͤΜ಄υϨΠϯిྲྀ ID (pulse) 1 120 A υϨΠϯిྲྀ IDR 30 A υϨΠϯిྲྀ IDR (pulse) 1 120 A ΞόϥϯγΣిྲྀ IAP 3 30 A ࣦPch 2 150 W ߅θ ch-c 0.833 °C/W νϟωϧԹ Tch 150 °C อଘԹ Tstg –55 to +150 °C ʣ 1. PW ʽ10µs, duty cycleʽ1%༰ 2. Tc = 25༰ 3. Tchʽ150ˆ తಛੑ (Ta = 25°C) ߸هMin Typ Max݅ υϨΠϯ · ιʔεഁյిѹ V(BR)DSS 250 — — V I D = 10 mA, VGS = 0 υϨΠϯःஅిྲྀ IGSS —— ± 0 . 1 µAV GS = ±30 V, VDS = 0 ήʔτःஅిྲྀ IDSS —— 1 µAV DS = 250 V, VGS = 0 ήʔτ · ιʔεःஅిѹ VGS(off) 3.0 — 4.0 V V DS = 10 V, ID = 1 mA υϨΠϯ · ߅R DS(on) — 0.053 0.069 Ω ID = 15 A, VGS = 10 V4 ॱୡΞυϛλϯε |yfs|1 7 2 8— S I D = 15 A, VDS = 10 V4 ೖྗ༰ྔ Ciss — 3600 — pF V DS = 25 V ग़ྗ༰ྔ Coss — 450 — pF V GS = 0 ༰ྔ Crss — 115 — pF f = 1 MHz λʔϯ · ؒ࣌td(on) — 48 — ns I D = 15 A ؒ࣌tr — 120 — ns V GS = 10 V λʔϯ · ؒ࣌td(off) — 190 — ns R L = 8.3 Ω ؒ࣌߱tf — 110 — ns Rg = 10 Ω ήʔτνϟʔδྔ Qg — 110 — nC V DD = 200 V ήʔτɾιʔενϟʔδྔ Qgs — 19 — nC V GS = 10 V ήʔτɾυϨΠϯνϟʔδྔ Qgd — 53 — nC I D = 30 A μΠΦʔυॱిѹ VDF — 0.9 1.35 V I F = 30 A, VGS = 0 ؒ࣌trr — 210 — ns I F = 30 A, VGS = 0 ճ෮ిՙྔ Qrr — 1.8 — µC diF/dt = 100 A/µs ʣ 4. ύϧεଌఆ
ओಛੑ 200 150 100 0 50 100 150 200 300 100 131 0 30 100 300 1000 100 0 4 8 12 16 20 100 0 2468 1 0 0.3 0.1 1000 Ta = 25°C 10 V V = 4.5 VGS 5 V 5.5 V Tc = 75°C 25°C −25°C ៊ᄬ Pch (W) ᷷ᐲ Tc (°C) ߩ ᄌൻ 㔚 VDS (V) 㔚ᵹ ID (A) 㔚 VDS (V) 㔚ᵹ ID (A) ធജ㕒․ᕈ 㔚 VGS (V) 㔚ᵹ ID (A) ធવ㆐㕒․ᕈ V = 10 VDS 100 µs1 ms PW = 10 ms (1shot)DC Operatio n (Tc = 25 °C) µs 6 V
7 V8 V
ߪ R ߡߞࠃߦ ߔ߹ࠇߐ DS(on)
0 48 12 16 20 1 5 20 100 21 0 5 0 200 100 200 160 120 −40 0 40 80 120 160 0.2 0.5 2 5 20 50 100 100 0.5 0.2 11 0 㔚 VGS (V) 㘻㔚ኻ 㔚․ᕈ VDS(on) (V)㘻㔚 㔚ᵹ ID (A) ᛶ᛫RDS(on) (mΩ ) ᛶ᛫ኻ 㔚ᵹ․ᕈ ᷷ᐲ Tc (°C) ᛶ᛫RDS(on) (mΩ ) ᛶ᛫ኻ ᷷ᐲ․ᕈ |yfs| (S) 㔚ᵹ ID (A) ኻ 㔚ᵹ․ᕈ ࠬࡦ࠲ࡒ࠼ࠕ 25°C Tc = −25°C 75°C DSV = 10 V V = 10 VGS I = 30 AD 15 A 5 A V = 10 V, 15 VGS 5 A 15 A I = 30 AD
0.1 0.3 1 3 10 30 100 1000 200 500 100 0 20 40 60 80 100 20000 50000 10000 1000 2000 5000 500 400 300 200 100 40 80 120 160 200 10000 1000 100 0.1 0.3 1 3 10 30 100 200 500 100 V = 0 f = 1 MHz GS Ciss Coss Crss I = 30 AD VDS VGS 㔚ᵹ I (A)DR ㅒ࿁ᓳᤨ㑆 trr (ns) 㑆 ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆 ኈ㊂ C (pF) 㔚 V (V)DS 㔚․ᕈ 㔚⩄㊂ Qg (nC) 㔚 V (V)DS 㔚 V (V)GS ᕈ 㔚ᵹ I (A)D ᤨ㑆 t (ns) ᕈ di / dt = 100 A / µs V = 0, Ta = 25°CGS V = 50 V 100 V 200 V DD V = 200 V 100 V 50 V DD rt d(on)t d(off)t t f V = 10 V, V = 125 V PW = 10 µs, duty ≤ 1 % R =10 Ω GS DD G
V = 0 VGS 10 V 㔚 V (V)SD 㔚ᵹኻ 㔚․ᕈ 㔚ᵹ I (A)DR -50 0 50 100 150 200 ᷷ᐲ Tc (°C) ㆤᢿ㔚ኻ ᷷ᐲ․ᕈ ㆤᢿ㔚V (V)GS(off) I = 10mAD 1mA 0.1mA V = 10 VDS Vin Monitor D.U.T. Vin 10 V R L V = 125 V DD trtd(on) Vin 90% 90% 10% 10%Vout td(off) Vout Monitor 10Ω 90% 10% tf ᵄᒻ 5 V
0.3 0.1 0.03 0.01 10 µ 100 µ 1 m 10 m 100 m 1 10 DMP PW T D = PW T ch − c(t) = s (t) • θch − c ch − c = 0.833°C/W, Tc = 25°C θ γ θ Tc = 25°C D = 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 1shot pulse PW (s) ㆊᷰᾲᛶ᛫ γs (t) ⷙᩰൻㆊᷰᾲᛶ᛫․ᕈ
ੇ๏ਤ φ3.2 ± 0.2 4.8 ± 0.2 1.5 0.3 2.8 0.6 ± 0.21.0 ± 0.2 15.6 ± 0.3 0.5 1.0 5.0 ± 0.3 1.6 1.4 Max 2.0 2.0 14.9 ± 0.2 3.6 0.9 1.0 Hitachi Code JEDEC JEITA Mass (reference value) TO-3P Conforms 5.0 g As of January, 2002 Unit: mm
͝ҙ 1.ٕ Մ͕ඞཁͰ͢ɻ 2.ɼͦͷଞͷత ͞Εͨ 3.͠·͠ 4.छ҆ શஔɼ ಈ લʹ ͍க͠·͢ɻ 5.ʹ͖ͭ·͠ ͍க͠·͢ɻ Λੜ͡ͳ͍Α͏ʹ ͍க͠·͢ɻ 8. ͍க͠·͢ɻ Θͤઌ Copyright © Hitachi, Ltd., 2002. All rights reserved. Printed in Japan. (053) 454-6281 (ઍ) (075) 223-5611 (ઍ) (078) 261-9677 (ઍ) (082) 223-4111 (ઍ) (0857) 22-4270 (ઍ) (087) 831-2111 (ઍ) (092) 852-1111 (ઍ) ᄢઍ ޕߐߛߊ http://www.hitachisemiconductor.com/jp/ ޕߔ߹ࠅ߇ߣߎࠆߔ ࡊ࡞ࠣ Colophon 5.0 ർᶏᡰ␠ ᧲ർᡰ␠ 㑐᧲ᡰ␠ ඨዉ㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ ᮮᵿᡰ␠ ർ㒽ᡰ␠ ㊄ᴛᡰᐫ ਛㇱᡰ␠ ޕߙ߁ߤ߳ ޓ ޓ࠲ࡦࠬࡆࠨࡑ࠲ࠬࠞE-Mail:csc@sic.hitachi.co.jp 㔚(03) 5201-5220 ޓޓޓE-Mail:document@sic.hitachi.co.jp 㔚(03) 5201-5189 ᵿ᧻ᡰᐫ 㑐ᡰ␠ ੩ㇺᡰᐫ ᚭᡰᐫ ਛ࿖ᡰ␠ 㠽ขᡰᐫ ྾࿖ᡰ␠ Ꮊᡰ␠ ޕߔߢ ޕߔ߹ࠅ߅ߡߒ http://www.hitachisemiconductor.com/sic/jsp/japan/jpn/Sicd/Japanese/map/frame.html (011) 261-3131 (ઍ) (022) 223-0121 (ઍ) (0263) 36-6632 (045) 451-5000 (ઍ) (076)263-2351 ( ޓ) 052) 243-3111 (ᄢઍ) ࡞ࡗࠗ࠳