HS669A ETC2

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汕头华汕电子器件有限公司 N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R HS669A 对应国外型号 2SD669A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作低频功率放大。 1―发射极,E 2―集电极,C 3―基 极,B TO-126 █ 极限值(Ta=25℃) █ 电参数(Ta=25℃) 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE1 HFE2 VCE(sat) VBE fT Cob 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极压降 特征频率 输出电容 180 160 140 200 1.5 V V V μA V V MHz pF IC=1mA,IE=0 IC=10mA,REB=∝ IE=1mA,IC=0 VCB=160V, IE=0 VCE=5V, IC=150mA VCE=5V, IC=500mA IC=500mA, IB=50mA VCE=5V, IC=150mA VCE=5V, IC=150mA VCB=10V, IE=0,f=1MHz █分档及其标志 B C 6 0—120 100 —200