HCP12C60 ETC1
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汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier HCP12C60 对应国外型号 BT151-600 █ 主要用途 单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。 ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 132A █ 电参数（Tc=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 IDRM 重复峰值断态电流 200 uA uA VAK=VDRM Tc=25℃ Tc=125℃ VTM 峰值通态电压(1) 1.6 V ITM=24A，tp=380us IGT 门极触发电流(2) 15 mA VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VGT 门极触发电压(2) 1.5 V VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VGD 门极不触发电压(1) 0.2 V VAK =12V, RL=100 ohm Tc=125℃ IH 维持电流 mA IT=100mA, 栅极开路 Tc=25℃ (dv/dt)c 最低电压上升率 200 V/us 线性倾斜 上升至 VD=VDRM 67%, 栅极开路,Tj=125℃ Rth(j-c) 热阻 1.3 ℃/W 结到外壳 Rth(j-a) 热阻 60 ℃/W 结到环境
汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier HCP12C60 对应国外型号 BT151-600 █ 特性曲线 图一、栅极特性 图二、最大外壳温度 最大允许外壳温度(°c) 栅极电压(V) 栅极电流(mA) 平均通态电流(A) 图三、典型正向压降 图四、热 响 应 瞬态热阻（°c/W） 通态电流（A） 通 态 电 压（V） 时 间（sec） 图五、典型栅极触发电压----结温 图六、典型栅极触发电流----结温
汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier HCP12C60 对应国外型号 BT151-600 █ 特性曲线 图七、典型维持电流 图八、功 耗 最大平均功耗（W） 结 温（℃） 平均通态电流(A) 1、 脉冲宽度等于1.0ms, 占空因数小于等于1% 2、 测量时不包括RGK 电流