HC5200

HC5200 HUASHAN

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By www.digicamel.com(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
• PDF pages: 3

Technical content

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. █ APPLICATIONS

• Power Amplifier Applications.
• Complementary to HA1943. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS （Ta=25℃） █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS （T a=25℃） Symbol Characteristics Min Typ Max Unit Test Conditions BVCBO Collector-Base Breakdown V oltage 230 V IC=100μA, IE=0 BVCEO Collector-Emitter Breakdown V oltage 230 V IC=50mA, IB=0 BVEBO Emitter-Base Breakdown V oltage 5 V IE=100μA，IC=0 ICBO Collector Cut-off Current 5 μA VCB=230V , IE=0 IEBO Emitter Cut-off Current 5 μA VEB=5V , IC=0 HFE（1） DC Current Gain 55 160 VCE=5V , IC=1A HFE（2） DC Current Gain 35 VCE=5V , IC=7A VCE(sat) Collector- Emitter Saturation V oltage 0.4 3 V IC=8A, IB=0.8A VBE Base-Emitter V oltage 1.5 V VCE=5V , IC=7A fT Current Gain-Bandwidth Product 30 MHz VCE=5V ,IC=1A Cob Output Capacitance 200 pF VCB=10V , IE=0，f=1MHz █ h FE(1) Classification R O 55 - 110 80 - 160 1―Base，B 2―Collector，C 3―Emitter，E TO-3P HC5200 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. █ Typical Characteristics HC5200 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. █ Package Dimensions SYMBOL MILLIMETERS A（mm） 15.60 ±0.20 A1（mm） 13.60 ±0.20 A2（mm） 9.60 ±0.20 B（mm） 19.90 ±0.20 B1（mm） 13.90 ±0.20 B2（mm） 12.76 ±0.20 B3（mm） 3.80 ±0.20 C（mm） 20.00 ±0.30 C1（mm） 3.50 ±0.20 C2（mm） 16.50 ±0.30 D（mm） 5.45 （TYP） D1（mm） 2.0 ±0.20 D2（mm） 3.0 ±0.20 D3（mm） 1.00 ±0.20 E（mm） 4.80 ±0.20 ＋0.15 E2（mm） 1.40 ±0.20 F（mm） 18.70 ±0.20 φ（mm） 3.20 ±0.10 HC5200 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R