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DI030N03D1
DI030N03D1
N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET
Version 2024-01-24
TO-252AA
Typical Applications
D-PAK
DC/DC Converters
Power Supplies DC Drives Synchronous Rectifiers Commercial /industrial grade 1)
ID25°C = 30 A
VDSS = 30 V
RDS(on) ~ 10 mΩ
PD = 40 W
Tjmax = 175°C
EAS = 72 mJ
Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Synchron-Gleichrichter Standardausführung 1)
For AEC-Q101 compliant/qualified
AEC-Q101 konforme/qualifizierte
versions, refer to DI014N25D1-Q/-AQ
Features
Advanced Trench Technology Low on state resistance Fast switching times Low gate charge
Versionen siehe DI014N25D1-Q/-AQ
Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung
Marking Type/Typ
HS Code 85412900
Maximum ratings 2)
Avalanche-Charakteristik Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
Grenzwerte 2)
| DI030N03D1 | ||
| Drain-Source voltage V = 0 V (short) Drain-Source-Spannung GS | V DSS | 30 V |
| Gate-Source-voltage continuos Gate-Source-Spannung dauernd | V GSS | ± 20 V |
| Power dissipation T = 25°C 3) Verlustleistung C | P tot | 40 W |
| Drain current continous T = 25°C 3) Drainstrom dauernd C | I D | 30 A |
| Drain current continous T = 100°C 3) Drainstrom dauernd C | I D | 21 A |
| Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom 4) | I DM | 80 A |
| Source current continous T = 25°C 3) Sourcestrom dauernd C | I S | 20 A |
| Peak Source current – Source-Spitzenstrom V = 0 V, t = 10 s GS p | I SM | 30 A |
| Single pulse avalanche energy V = 30 V, V = 10 V (Fig. 1) DD G Einzelpuls Avalanche-Energie L = 0.5 mH, R = 25 Ω G | E AS | 72 mJ |
| Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur | T j T S | -55…+175°C -55…+175°C |
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm
http://www.diotec.com/
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Characteristics (static)
Kennwerte (statisch)
| T = 25°C j | Min. | Typ. | Max. |
|---|---|---|---|
| Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung I = 250 µA V = 0 V (short) V D GS (BR)DSS | 30 V | – | – |
| Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom V = V V = 0 V (short) I DS DSS GS DSS | – | – | 1 µA |
| Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom V = ±20 V V = 0 V (short) I GS DS GSS | – | – | ± 100 nA |
| Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung V = V I = 250 µA V GS DS D GS(th) | 1 V | 1.5 V | 2.2 V |
| Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand V = 10 V I = 20 A GS D R V = 4.5 V I = 15 A DS(on) GS D | – – | 10 mΩ 13 mΩ | 14 mΩ 25 mΩ |
Characteristics (dynamic)
Kennwerte (dynamisch)
| T = 25°C j | Min. | Typ. | Max. |
|---|---|---|---|
| Forward Transconductance – Übertragungssteilheit V = 5 V I = 20 A g DS D FS | 26 S | – | – |
| Input Capacitance – Eingangskapazität V = 15 V V = 0 V f = 1 MHz C DS GS iss | – | 940 pF | – |
| Output Capacitance – Ausgangskapazität V = 15 V V = 0 V f = 1 MHz C DS GS oss | – | 140 pF | – |
| Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität V = 15 V V = 0 V f = 1 MHz C DS GS rss | – | 100 pF | – |
| Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit t V = 15 V V = 10 V R = 3 Ω R = 0.75 Ω (Fig. 1) d(on) DD GS G t r | – | 12 ns 5 ns | – |
| Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit t V = 15 V V = 0 V R = 3 Ω R = 0.75 Ω (Fig. 1) d(off) DD GS G t f | – | 19 ns 6 ns | – |
| Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung V = 15 V I = 20 A V = 10 V Q DD D GS g | – | 17.5 nC | – |
| Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung V = 15 V I = 20 A V = 10 V Q DD D GS gs | – | 3 nC | – |
| Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung V = 15 V I = 20 A V = 10 V Q DD D GS gd | – | 4.1 nC | – |
| Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand f = 1 Mhz D open R Gi | – | tbd Ω | – |
R
Fig. 1
Test circuit for switching times (R) and avalanche energy (L) (“rise“ and “fall“ refer to I )
D
Testaufbau für Schaltzeiten (R) und Avalanche-Energie (L) (“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D)
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DI030N03D1
Characteristics (diode)
Kennwerte (Diode)
| T = 25°C j | Min. | Typ. | Max. |
|---|---|---|---|
| Forward voltage – Durchlass-Spannung V = 0 V I = 20 A V GS S SD | – | – | 1.2 V |
| Reverse recovery time – Sperrverzugszeit I = 20 A, di/dt = -100 A/µs t S rr | – | 19 ns | – |
| Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung I = 20 A, di/dt = -100 A/µs Q S rr | – | 10 nC | – |
Characteristics (thermal)
Kennwerte (thermisch)
| Min. | Typ. | Max. | ||
|---|---|---|---|---|
| Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse | R thC | – | 3.8 K/W 1) | – |
Dimensions - Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
http://www.diotec.com/
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The information presented in our data sheets and other documents is to the best of our knowledge true and accurate. It de- scribes the type of component or application and shall not be considered as assured characteristics. No warranty or guarantee, expressed or implied is made regarding the capacity, delivery, performance or suitability of any product or circuit etc, neither does it convey any license under the patent rights of others. Diotec reserves the right to make changes without further no- tice. However, regular updating of all product information is provided on our website 1). All Diotec products are sold and shipped subject to our “Standard Terms and Conditions of Busi-
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- All products described or contained are designed and intend-
Alle Rechte vorbehalten
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- Although Diotec continuously enhances the quality and reliability of its products, customers must incorporate sufficient safety measures in their designs, such as redundancy, fire containment, and anti-failure, so that personal injury, fire or environmental damage can be prevented. Diotec excludes explicitly ev- ery implied warranty or liability regarding the fitness of the products to any other than standard applications.
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Gebrauch in Standardanwendungen mit einem gewöhnlichen Zuverlässigkeitsniveau entworfen und bestimmt, bekannt als
- Einige Produkte sind mit den speziellen Qualifikationen „AEC- Q101 konform“ oder „AEC-Q101 qualifiziert“ erhältlich. Dies
- Falls diese Produkte in Anwendungen verwendet werden sollen, die einen besonderen Grad der Qualität oder Zuverlässigkeit erfordern, z. B. (aber nicht begrenzt auf) lebenserhaltende Geräte oder Systeme, bei denen durch Ausfall oder eine Stö- rung des Produktes menschliches Leben oder Gesundheit direkt beeinflusst werden kann, ist der Anwender verpflichtet sicherzustellen, dass der beabsichtigte Gebrauch des vorgesehenen Pro-
Diotec übernimmt keine Haftung die sich aus solchen Anwendungen oder der Verwendung der Produkte ergibt. Der Ge- brauch für alle solche Anwendungen erfolgt auf eigenes und
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Refer to http://diotec.com/ “Products/Product Changes” respectively “News/Datasheets” Siehe http://diotec.com/ „Produkte/Produktänderungen“ bzw. „News/Datenblätter“ Refer data book or http://diotec.com/ “Company” – Siehe Datenbuch oder http://diotec.com/ „Unternehmen“ Refer to http://diotec.com/ “Products/Information/Qualification/Commercial Grade and AEC-Q101” Siehe http://diotec.com/ „Produkte/Informationen/Qualifizierung/Standard und AEC-Q101“
http://diotec.com/
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