D423AG-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCEO IEBO hFE V CE(sat) V BE(sat) Cob fT tON tSTG tF 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和压降 基极— 发射极饱和压降 共基极输出电容 特征频率 导通时间 贮存时间 下降时间 400 180 1.5 1.2 1.6 1.1 3.0 0.7 V mA V V V V V pF MHz µS µS µS I C=10mA，IB=0 VEB=9V，IC=0 VCE=5V，IC=5A VCE=5V，IC=8A IC=5A，IB=1A IC=8A，IB=1.6A IC=12A，IB=3A IC=5A，IB=1A IC=8A，IB=1.6A VCB=10V，f=0.1MHz VCE=10V，IC=0.5A VCC=125V，IC=8A I B1=-IB2=1.6A N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R 13009 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D423AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：4230×4230µm 2 焊位尺寸：B 极 1200×420µm 2，E 极 1140×540µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSE13009，HE13009