D360AG-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测试条件 BVCEO BVCBO BVEBO IEBO ICBO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT 集电极—发射极击穿电压 集电极—基极击穿电压 发射极—基极击穿电压 发射极—基极截止电流 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极饱和压降 特征频率 800 1100 1.5 V V V uA uA V V MHz I C=5mA，IB=0 IC=1mA，IE=0 IE=1mA，IC=0 VEB=5V，IC=0 VCB=800V，IE=0 VCE=5V，IC=0.2A VCE=5V，IC=1A IC=1.5A，IB=0.3A IC=1.5A，IB=0.3A VCE=10V，IC=0.2A N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R 5027 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D360AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：3600×3600µm 2 焊位尺寸：B 极475×730µm 2；E 极 480×900µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSC5027，HC5027