D180BG-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCEO IEBO hFE VCE(sat) V BE(sat) f T tON tSTG tF 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和压降 基极— 发射极饱和压降 特征频率 导通时间 贮存时间 下降时间 400 0.5 1.2 1.1 4.0 0.7 V µA V V V V V MHz µS µS µS I C=5mA，IB=0 VEB=9V，IC=0 VCE=5V，IC=0.5A VCE=2V，IC=1A IC=0.5A，IB=0.1A IC=1A，IB=0.25A IC=1.5A，IB=0.5A IC=0.5A，IB=0.1A IC=1A，IB=0.25A VCE=10V，IC=0.1A, f=1MHz Vcc=125V ，Ic=1A I B1=-IB2=0.2A R L=125Ω N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R 13003 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D180BG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1800×1800µm 2 焊位尺寸：B 极 320×320µm 2，E 极 200×300µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSE13003，HE13003